EN IEC 60749-28:2022
(Main)Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level
IEC 60749-28:2022 is available as IEC 60749-28:2022 RLV which contains the International Standard and its Redline version, showing all changes of the technical content compared to the previous edition.IEC 60749-28:2022 establishes the procedure for testing, evaluating, and classifying devices and microcircuits according to their susceptibility (sensitivity) to damage or degradation by exposure to a defined field-induced charged device model (CDM) electrostatic discharge (ESD). All packaged semiconductor devices, thin film circuits, surface acoustic wave (SAW) devices, opto-electronic devices, hybrid integrated circuits (HICs), and multi-chip modules (MCMs) containing any of these devices are to be evaluated according to this document. To perform the tests, the devices are assembled into a package similar to that expected in the final application. This CDM document does not apply to socketed discharge model testers. This document describes the field-induced (FI) method. An alternative, the direct contact (DC) method, is described in Annex J. The purpose of this document is to establish a test method that will replicate CDM failures and provide reliable, repeatable CDM ESD test results from tester to tester, regardless of device type. Repeatable data will allow accurate classifications and comparisons of CDM ESD sensitivity levels. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: - a new subclause and annex relating to the problems associated with CDM testing of integrated circuits and discrete semiconductors in very small packages; - changes to clarify cleaning of devices and testers.
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d’essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé (CDM) - niveau du dispositif
IEC 60749-28:2022 est disponible sous forme de IEC 60749-28:2022 RLV qui contient la Norme internationale et sa version Redline, illustrant les modifications du contenu technique depuis l'édition précédente.L’IEC 60749-28:2022 établit la procédure d’essai, d’évaluation et de classification des dispositifs et des microcircuits selon leur susceptibilité (sensibilité) au dommage ou leur dégradation par suite de leur exposition à une décharge électrostatique (DES) sur un modèle défini de dispositif chargé (CDM) induit par champ. Tous les dispositifs à semiconducteurs, circuits à couches minces, dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS), dispositifs optoélectroniques, circuits intégrés hybrides (HIC - hybrid integrated circuits) et modules multipuces (MCM - multi-chip modules) en boîtiers qui contiennent l’un de ces dispositifs doivent être évalués selon le présent document. Pour effectuer les essais, les dispositifs sont assemblés dans un boîtier similaire à celui prévu dans l’application finale. Le présent document CDM ne s’applique pas aux appareils d’essai de modèles de décharge avec support. Il décrit en revanche la méthode induite par champ (FI - field-induced). Une méthode alternative, la méthode par contact direct (DC - direct contact), est décrite à l’Annexe J. L’objet du présent document est d’établir une méthode d'essai qui reproduit les défaillances du CDM et de fournir des résultats d'essais de DES de CDM fiables et reproductibles d'un appareil d'essai à un autre, indépendamment du type de dispositif. Des données reproductibles permettent des classifications et des comparaisons exactes des niveaux de sensibilité de DES de CDM. Cette édition contient les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente: - ajout d’un nouveau paragraphe et d'une nouvelle annexe relatifs aux problèmes associés à l’essai de CDM des circuits intégrés et des semiconducteurs discrets dans de très petits boîtiers; - introduction de modifications afin de clarifier le nettoyage des dispositifs et des appareils d’essai.
Polprevodniški elementi - Metode za mehansko in klimatsko preskušanje - 28. del: Preskušanje občutljivosti na elektrostatično razelektritev (ESD) - Model z elektrostatično nabitim elementom (CDM) - Raven elementa (IEC 60749-28:2022)
Ta del standarda IEC 60749 določa standardni postopek za preskušanje, ocenjevanje in razvrščanje naprav ter mikrovezij glede na občutljivost na poškodbe in degradacijo, ki so posledica izpostavljenosti določenim induciranim elektrostatičnim razelektritvam (ESD) modelov z elektrostatično nabitim elementom (CDM).
Vse pakirane polprevodniške naprave, tankoplastne filme, površinske zvočnovalovne naprave (SAW), optoelektronske naprave, hibridna integrirana vezja (HIC) in veččipne module (MCM), ki vsebujejo katero koli od teh naprav, je treba oceniti v skladu s tem dokumentom. Za izvajanje preskusov so naprave sestavljene v paket, podoben tistemu, ki se pričakuje pri končni uporabi.
Ta dokument za model z elektrostatično nabitim elementom se ne uporablja za preskusne naprave za razelektritvene modele z vtičnico. Ta dokument opisuje metodo z induciranim poljem. Alternativna metoda, tj. metoda z neposrednim stikom, je opisana v dodatku J.
Namen tega dokumenta je določiti preskusno metodo, ki bo ponovila napake modela z elektrostatično nabitim elementom (CMD) ter zagotovila zanesljive in ponovljive preskusne rezultate elektrostatične izpraznitve modela z elektrostatično nabitim elementom pri vseh preskusnih napravah ne glede na vrsto naprave. Ponovljivi podatki bodo omogočili natančne opredelitve in primerjave ravni občutljivosti na elektrostatične izpraznitve modela z elektrostatično nabitim elementom.
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
SLOVENSKI STANDARD
SIST EN IEC 60749-28:2022
01-junij-2022
Nadomešča:
SIST EN 60749-28:2017
Polprevodniški elementi - Metode za mehansko in klimatsko preskušanje - 28. del:
Preskušanje občutljivosti na elektrostatično razelektritev (ESD) - Model z
elektrostatično nabitim elementom (CDM) - Raven elementa (IEC 60749-28:2022)
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic
discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - Device level (IEC
60749-28:2022)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 28: Prüfung
der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model
(CDM) - Device Level (IEC 60749-28:2022)
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 28:
Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé
par contact direct (DC-CDM) (IEC 60749-28:2022)
Ta slovenski standard je istoveten z: EN IEC 60749-28:2022
ICS:
31.080.01 Polprevodniški elementi Semiconductor devices in
(naprave) na splošno general
SIST EN IEC 60749-28:2022 en
2003-01.Slovenski inštitut za standardizacijo. Razmnoževanje celote ali delov tega standarda ni dovoljeno.
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SIST EN IEC 60749-28:2022
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SIST EN IEC 60749-28:2022
EUROPEAN STANDARD EN IEC 60749-28
NORME EUROPÉENNE
EUROPÄISCHE NORM April 2022
ICS 31.080.01 Supersedes EN 60749-28:2017 and all of its
amendments and corrigenda (if any)
English Version
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods -
Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing -
Charged device model (CDM) - device level
(IEC 60749-28:2022)
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische
mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité Prüfverfahren - Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen
aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device
chargé (CDM) - niveau du dispositif Model (CDM) - Device Level
(IEC 60749-28:2022) (IEC 60749-28:2022)
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SIST EN IEC 60749-28:2022
EN IEC 60749-28:2022 (E)
European foreword
The text of document 47/2746/FDIS, future edition 2 of IEC 60749-28, prepared by IEC/TC 47
"Semiconductor devices" was submitted to the IEC-CENELEC parallel vote and approved by
CENELEC as EN IEC 60749-28:2022.
The following dates are fixed:
• latest date by which the document has to be implemented at national (dop) 2023-01-05
level by publication of an identical national standard or by endorsement
• latest date by which the national standards conflicting with the (dow) 2025-04-05
document have to be withdrawn
This document supersedes EN 60749-28:2017 and all of its amendments and corrigenda (if any).
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The text of the International Standard IE
...
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