IEC 60050-521:2002

International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits

It has the status of a horizontal standard in accordance with IEC Guide 108.

Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) - Partie 521: Dispositifs à semiconducteurs et circuits intégrés

Elle a le statut de norme horizontale conformément au Guide IEC 108.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 21-May-2002
• ICS: 01.040.31 - Electronics (Vocabularies)
• ICS: 31.080 - Semiconductor devices
• Technical Committee: TC 1 - Terminology
• Drafting Committee: AG 1 - TC 1/AG 1
• Current Stage: PPUB - Publication issued
• Start Date: 30-Apr-2001
• Completion Date: 22-May-2002

Relations

• Amended By: IEC 60050-521:2002/AMD2:2018 - Amendment 2 - International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Amended By: IEC 60050-521:2002/AMD1:2017 - Amendment 1 - International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits
• Effective Date: 05-Sep-2023

Overview

IEC 60050-521:2002, titled International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits, is a comprehensive international standard published by the International Electrotechnical Commission (IEC). As part of the IEC 60050 series, this part specifically addresses terminology related to semiconductor devices and integrated circuits, establishing a unified vocabulary vital for professionals in the electronics and electrotechnical industries.

This standard functions as a horizontal standard under IEC Guide 108, meaning it provides foundational terminology and definitions that support and unify other technical standards within the field. The vocabulary is multilingual and covers a broad range of semiconductor technologies, enabling clear communication and reducing misunderstandings between experts worldwide.

Key Topics

IEC 60050-521:2002 is structured into multiple detailed sections that systematically cover crucial aspects of semiconductors and integrated circuits. The key topics addressed include:

• Atomic physics principles relevant to semiconductor behavior
• Properties of semiconductor materials, describing physical and electrical characteristics
• Processing techniques for semiconductor materials, key to manufacturing devices
• Types of semiconductor devices, including diodes, transistors, thyristors, Hall-effect devices, and magnetoresistors
• General terminology applicable to all semiconductor devices
• Specific terminology for various semiconductor components:
  • Diodes
  • Transistors
  • Thyristors
  • Hall-effect and magnetoresistive devices
  • Integrated circuits, including digital ICs

The vocabulary entries are presented with definitions, preferred and synonymous terms, and where applicable, cross-referenced information. The standard includes terms in multiple languages: French, English, Chinese, German, Spanish, Japanese, Polish, Portuguese, and Swedish.

Applications

IEC 60050-521:2002 serves as an essential reference for:

• Engineers and designers working on semiconductor device development and integrated circuit design
• Manufacturers and quality assurance teams ensuring adherence to standardized terminology during production, testing, and documentation
• Technical writers and educators producing consistent and clear learning materials, data sheets, and manuals
• Standards organizations and regulatory bodies harmonizing global standards and facilitating international cooperation
• Academic researchers and students gaining foundational knowledge in semiconductor terminology and concepts

By promoting a common language for semiconductor devices and integrated circuits, IEC 60050-521 enhances communication efficiency, reduces errors in interpretation, and supports interoperability across global markets.

Related Standards

IEC 60050-521:2002 is part of the broader IEC 60050 International Electrotechnical Vocabulary series, which comprises approximately 80 parts covering various fields of electrotechnology and electronics. Related standards include:

• IEC 60050-161: Electromagnetic compatibility vocabulary
• IEC 60050-411: Vocabulary for rotating machines
• IEC Guide 108: Guidelines for horizontal standards applicable across multiple technical domains

Additionally, this vocabulary works in conjunction with technical standards by IEC technical committees, especially IEC TC 47, responsible for semiconductor devices, and IEC TC 1, focusing on terminology.

Why Use IEC 60050-521:2002?

• Global consistency in semiconductor device terms reduces confusion and promotes interoperability
• Multilingual support facilitates cross-border collaboration and ensures accessibility for international stakeholders
• Comprehensive coverage encompasses fundamental physics through specific device terminology
• Supports innovation and standardization in the semiconductor manufacturing sector

For professionals in electronics, semiconductor fabrication, integrated circuit design, and standards development, IEC 60050-521 is an indispensable resource to ensure precision, clarity, and compliance in terminology.

---

Keywords: IEC 60050-521, semiconductor devices vocabulary, integrated circuits terminology, international electrotechnical vocabulary, semiconductor standards, IEC semiconductor standard, electrotechnical terminology, semiconductor definitions, integrated circuit standards, semiconductor device classification.

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60050-521
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2002-05
Vocabulaire Electrotechnique International
Partie 521 :
Dispositifs à semiconducteurs
et circuits intégrés
International Electrotechnical Vocabulary
Part 521:
Semiconductor devices
and integrated circuits
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60050-521:2002
NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60050-521
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2002-05
Vocabulaire Electrotechnique International
Partie 521 :
Dispositifs à semiconducteurs
et circuits intégrés
International Electrotechnical Vocabulary
Part 521:
Semiconductor devices
and integrated circuits
 IEC 2002 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
Aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni No part of this publication may be reproduced or utilized in any
utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun procédé, form or by any means, electronic or mechanical, including
électronique ou mécanique, y compris la photocopie et les photocopying and microfilm, without permission in writing from
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Telephone: [phone] Telefax: [phone] E-mail: [e-mail]  Web: www.iec.ch
CODE PRIX
XD
PRICE CODE
Commission Electrotechnique Internationale
International Electrotechnical Commission
Международная Электротехническая Комиссия
Pour prix, voir catalogue en vigueur
For price, see current catalogue

– II – 60050-521  CEI:2002
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS. IV
INTRODUCTION – Principes d'établissement et règles suivies . VIII
1 Domaine d'application .1
2 Références normatives.1
3 Termes et définitions .3
Section 521-01 – Notions de physique atomique.3
Section 521-02 – Propriétés des matériaux semiconducteurs.15
Section 521-03 – Traitement des matériaux semiconducteurs .44
Section 521-04 – Types de dispositifs à semiconducteurs.50
Section 521-05 – Termes généraux pour dispositifs à semiconducteurs .75
Section 521-06 – Termes particuliers aux diodes .89
Section 521-07 – Termes particuliers aux transistors .91
Section 521-08 – Termes particuliers aux thyristors .100
Section 521-09 – Termes particuliers aux dispositifs à effet hall
et aux magnétoresistances .106
Section 521-10 – Termes particuliers aux circuits intégrés.113
Section 521-11 – Termes particuliers aux circuits intégrés numériques.117
INDEX en français, anglais, chinois, allemand, espagnol, japonais, polonais,
portugais et suédois. 126

60050-521  IEC:2002 – III –
CONTENTS
FOREWORD. V
INTRODUCTION – Principles and rules followed . IX
1 Scope.2
2 Normative references .2
3 Terms and definitions .3
Section 521-01 – Introduction to atomic physics .3
Section 521-02 – Properties of semiconductor materials .15
Section 521-03 – Processing semiconductor materials.44
Section 521-04 – Types of semiconductor devices .50
Section 521-05 – General terms for semiconductor devices .75
Section 521-06 – Specific terms for diodes .89
Section 521-07 – Specific terms for transistors .91
Section 521-08 – Specific terms for thyristors .100
Section 521-09 – Specific terms for hall-effect devices and magnetoresistors .106
Section 521-10 – Specific terms for integrated circuits.113
Section 521-11 – Specific terms for digital integrated circuits.117
INDEX in French, English, Chinese, German, Spanish, Japanese, Polish,
Portuguese and Swedish . 126

– IV – 60050-521  CEI:2002
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
____________
VOCABULAIRE ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONAL
PARTIE 521 : DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS
ET CIRCUITS INTÉGRÉS
AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Électrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation
composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a
pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les
domaines de l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes
internationales. Leur élaboration est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national
intéressé par le sujet traité peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non
gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement
avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les
deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible, un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, spécifications techniques, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les
Comités nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière.
5) La CEI n’a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d’approbation et sa responsabilité
n’est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme à l’une de ses normes.
6) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Norme internationale peuvent faire
l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour
responsable de ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 60050-521 a été établie par le Groupe de Travail 1 du Comité
d'études 47 : Dispositifs à semiconducteurs, sous la responsabilité du comité d'études 1 de la
CEI : Terminologie.
Le texte de cette norme est issu des documents suivants :
FDIS Rapport de vote
1/1830/FDIS 1/1835/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l'approbation de cette norme.
Cette deuxième édition de la CEI 60050-521 est issue de l’édition originale de 1984 et des
termes nouveaux ou modifiés approuvés dans le FDIS en référence.
Cette publication a été rédigée selon les Directives ISO/CEI, Partie 3.
Dans la présente partie du VEI les termes et définitions sont donnés en français et en
anglais : de plus, les termes sont indiqués en chinois (cn), allemand (de), espagnol (es),
japonais (ja), polonais (pl), portugais (pt) et suédois (sv).

60050-521  IEC:2002 – V –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION
____________
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL VOCABULARY
PART 521: SEMICONDUCTOR DEVICES
AND INTEGRATED CIRCUITS
FOREWORD
1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of the IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, the IEC publishes International Standards. Their preparation is
entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may
participate in this preparatory work. International, governmental and non-governmental organizations liaising
with the IEC also participate in this preparation. The IEC collaborates closely with the International
Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the
two organizations.
2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters express, as nearly as possible, an
international consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation
from all interested National Committees.
3) The documents produced have the form of recommendations for international use and are published in the form
of standards, technical specifications, technical reports or guides and they are accepted by the National
Committees in that sense.
4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC International
Standards transparently to the maximum extent possible in their national and regional standards. Any
divergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearly
indicated in the latter.
5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with one of its standards.
6) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this International Standard may be the subject
of patent rights. The IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
International Standard IEC 60050-521 has been prepared by Working Group 1 of IEC technical
committee 47: Semiconductor devices, under the responsibility of IEC technical committee 1:
Terminology.
The text of this standard is based on the following documents:
FDIS Report on voting
1/1830/FDIS 1/1835/RVD
Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on
voting indicated in the above table.
This second edition of IEC 60050-521 is based on 1984 edition and new or modified approved
terms in FDIS in reference.
This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 3.
In this part of IEV, the terms and definitions are written in French and English; in addition the
terms are given in Chinese (cn), German (de), Spanish (es), Japanese (ja), Polish (pl),
Portuguese (pt) and Swedish (sv).

– VI – 60050-521  CEI:2002
Le comité a décidé que le contenu de cette publication ne sera pas modifié avant 2013.
A cette date, la publication sera
• reconduite ;
• supprimée ;
• remplacée par une édition révisée, ou
• amendée.
60050-521  IEC:2002 – VII –
The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged until 2013.
At this date, the publication will be
• reconfirmed;
• withdrawn;
• replaced by a revised edition, or
• amended.
– VIII – 60050-521  CEI:2002
INTRODUCTION
Principes d'établissement et règles suivies
Généralités
Le VEI (série CEI 60050) est un vocabulaire multilingue à usage général couvrant le champ
de l'électrotechnique, de l'électronique et des télécommunications. Il comprend environ
18 500 articles terminologiques correspondant chacun à une notion. Ces articles sont répartis
dans environ 80 parties, chacune correspondant à un domaine donné.
Exemples :
Partie 161 (CEI 60050-161) : Compatibilité électromagnétique
Partie 411 (CEI 60050-411) : Machines tournantes
Les articles suivent un schéma de classification hiérarchique Partie/Section/Notion, les
notions étant, au sein des sections, classées par ordre systématique.
Les termes, définitions et notes des articles sont donnés dans les trois langues officielles
de la CEI, c'est-à-dire français, anglais et russe (langues principales du VEI).
Dans chaque article, les termes seuls sont également donnés dans les langues additionnelles
du VEI (arabe, chinois, allemand, grec, espagnol, italien, japonais, polonais, portugais et
suédois).
De plus, chaque partie comprend un index alphabétique des termes inclus dans cette partie,
et ce pour chacune des langues du VEI.
NOTE – Certaines langues peuvent manquer.
Constitution d'un article terminologique
Chacun des articles correspond à une notion, et comprend :
–un numéro d'article,
– éventuellement un symbole littéral de grandeur ou d'unité,
puis, pour chaque langue principale du VEI :
– le terme désignant la notion, appelé « terme privilégié », éventuellement accompagné de
synonymes et d'abréviations,
–la définition de la notion,
– éventuellement la source,
– éventuellement des notes,
et enfin, pour les langues additionnelles du VEI, les termes seuls.
Numéro d'article
Le numéro d'article comprend trois éléments, séparés par des traits d'union :
– Numéro de partie : 3 chiffres,
– Numéro de section : 2 chiffres,
– Numéro de la notion : 2 chiffres (01 à 99).
Exemple : 151-13-82
60050-521  IEC:2002 – IX –
INTRODUCTION
Principles and rules followed
General
The IEV (IEC 60050 series) is a general-purpose multilingual vocabulary covering the field of
electrotechnology, electronics and telecommunication. It comprises about 18 500 termino-
logical entries, each corresponding to a concept. These entries are distributed among about
80 parts, each part corresponding to a given field.
Examples:
Part 161 (IEC 60050-161): Electromagnetic compatibility
Part 411 (IEC 60050-411): Rotating machines
The entries follow a hierarchical classification scheme Part/Section/Concept, the concepts
being, within the sections, organized in a systematic order.
The terms, definitions and notes in the entries are given in the three IEC official languages,
that is French, English and Russian (principal IEV languages).
In each entry the terms alone are also given in the additional IEV languages (Arabic, Chinese,
German, Greek, Spanish, Italian, Japanese, Polish, Portuguese and Swedish).
In addition, each part comprises an alphabetical index of the terms included in that part, for
each of the IEV languages.
NOTE – Some languages may be missing.
Organization of a terminological entry
Each of the entries corresponds to a concept, and comprises:
–an entry number,
– possibly a letter symbol for quantity or unit,
then, for each of the principal IEV languages:
– the term designating the concept, called "preferred term", possibly accompanied by
synonyms and abbreviations,
–the definition of the concept,
– possibly the source,
– possibly notes,
and finally, for the additional IEV languages, the terms alone.
Entry number
The entry number is comprised of three elements, separated by hyphens:
– Part number: 3 digits,
– Section number: 2 digits,
– Concept number: 2 digits (01 to 99).
Example: 151-13-82
– X – 60050-521  CEI:2002
Symboles littéraux de grandeurs et unités
Ces symboles, indépendants de la langue, sont donnés sur une ligne séparée suivant le
numéro d'article.
Exemple :
131-11-22
symb. : R
résistance, f
Terme privilégié et synonymes
Le terme privilégié est le terme qui figure en tête d'un article ; il peut être suivi de synonymes.
Il est imprimé en gras.
Synonymes :
Les synonymes sont imprimés sur des lignes séparées sous le terme privilégié : ils sont
également imprimés en gras, sauf les synonymes déconseillés, qui sont imprimés en maigre,
et suivis par l'attribut « (déconseillé) ».
Parties pouvant être omises :
Certaines parties d'un terme peuvent être omises, soit dans le domaine considéré, soit dans
un contexte approprié. Ces parties sont alors imprimées en gras, entre parenthèses :
Exemple: émission (électromagnétique)
Absence de terme approprié :
Lorsqu'il n'existe pas de terme approprié dans une langue, le terme privilégié est remplacé
par cinq points, comme ceci :
.....
« » (et il n'y a alors bien entendu pas de synonymes).
Attributs
Chaque terme (ou synonyme) peut être suivi d'attributs donnant des informations supplé-
mentaires ; ces attributs sont imprimés en maigre, à la suite de ce terme, et sur la même
ligne.
Exemples d'attributs :
– spécificité d'utilisation du terme :
rang (d'un harmonique)
– variante nationale :
unité de traitement CA
– catégorie grammaticale :
électronique, adj
électronique, f
– abréviation : CEM (abréviation)
– déconseillé : déplacement (terme déconseillé)

60050-521  IEC:2002 – XI –
Letter symbols for quantities and units
These symbols, which are language independent, are given on a separate line following the
entry number.
Example:
131-11-22
symb. : R
resistance
Preferred term and synonyms
The preferred term is the term that heads a terminological entry; it may be followed by
synonyms. It is printed in boldface.
Synonyms:
The synonyms are printed on separate lines under the preferred term: they are also printed in
boldface, excepted for deprecated synonyms, which are printed in lightface, and followed by
the attribute "(deprecated)".
Parts that may be omitted:
Some parts of a term may be omitted, either in the field under consideration or in an
appropriate context. Such parts are printed in boldface type, and placed in parentheses:
Example: (electromagnetic) emission
Absence of an appropriate term:
When no adequate term exists in a given language, the preferred term is replaced by five
dots, like this:
.....
" " (and there are of course no synonyms).
Attributes
Each term (or synonym) may be followed by attributes giving additional information, and
printed on the same line as the corresponding term, following this term.
Examples of attributes:
– specific use of the term:
transmission line (in electric power systems)
– national variant: lift GB
– grammatical information:
thermoplastic, noun
AC, qualifier
– abbreviation: EMC (abbreviation)
– deprecated: choke (deprecated)

– XII – 60050-521  CEI:2002
Source
Dans certains cas il a été nécessaire d'inclure dans une partie du VEI une notion prise dans
une autre partie du VEI, ou dans un autre document de terminologie faisant autorité
(VIM, ISO/CEI 2382, etc.), dans les deux cas avec ou sans modification de la définition
(ou éventuellement du terme).
Ceci est indiqué par la mention de cette source, imprimée en maigre, et placée entre crochets
à la fin de la définition :
Exemple : [131-03-13 MOD]
(MOD indique que la définition a été modifiée)
Termes dans les langues additionnelles du VEI
Ces termes sont placés à la fin de l'article, sur des lignes séparées (une ligne par langue),
précédés par le code alpha-2 de la langue, défini dans l'ISO 639, et dans l'ordre alphabétique
de ce code. Les synonymes sont séparés par des points-virgules.

60050-521  IEC:2002 – XIII –
Source
In some cases, it has been necessary to include in an IEV part a concept taken from another
IEV part, or from another authoritative terminology document (VIM, ISO/IEC 2382, etc.), in
both cases with or without modification to the definition (and possibly to the term).
This is indicated by the mention of this source, printed in lightface, and placed between
square brackets at the end of the definition.
Example: [131-03-13 MOD]
(MOD indicates that the definition has been modified)
Terms in additional IEV languages
These terms are placed at the end of the entry, on separate lines (one single line for each
language), preceded by the alpha-2 code for the language defined in ISO 639, and in the
alphabetic order of this code. Synonyms are separated by semicolons.

– 1 – 60050-521  CEI:2002
VOCABULAIRE ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONAL
PARTIE 521 : DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS
ET CIRCUITS INTÉGRÉS
1 Domaine d'application
Cette partie de la norme CEI 60050 donne la terminologie générale utilisée dans les
domaines de la technologie des semiconducteurs, du développement des semiconducteurs et
pour les types de semiconducteurs.
Cette terminologie est naturellement en accord avec la terminologie figurant dans les autres
parties spécialisée du VEI.
2 Références normatives
Les références normatives se limitent essentiellement à la CEI 60050 Partie 151 : Dispositifs
électriques et magnétiques, en cours de révision.

60050-521  IEC:2002 – 2 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL VOCABULARY
PART 521: SEMICONDUCTOR DEVICES
AND INTEGRATED CIRCUITS
1Scope
This part of IEC 60050 gives the general terminology used in the fields of semiconductor
technology and semiconductor design and for types of semiconductors.
This terminology is of course consistent with the terminology developed in the other
specialized parts of the IEV.
2 Normative references
Normative references are limited to IEC 60050 Part 151: Electric and magnetic devices, under
revision.
– 3 – 60050-521  CEI:2002
3 Termes et définitions
3 Terms and definitions
PARTIE 521 : DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS
ET CIRCUITS INTÉGRÉS
PART 521: SEMICONDUCTOR DEVICES
AND INTEGRATED CIRCUITS
Section 521-01 – Notions de physique atomique
Section 521-01 – Introduction to atomic physics
521-01-01
système non quantifié (de particules), m
système de particules dont on suppose que les énergies sont susceptibles de varier de
manière continue. Le nombre des états microscopiques, défini par les positions et les vitesses
des particules à un instant donné, est alors non limité
non-quantized system (of particles)
system of particles whose energies are assumed to be capable of varying in a continuous
manner and in which the number of microscopic states defined by the positions and velocities
of the particles at a given instant is therefore unlimited
cn 非量子化系统非量子化系统非量子化系统非量子化系统(粒子的)
de nichtquantisiertes System (von Teilchen), n
es sistema no cualificado (de partículas)
ja （粒子の）非量子化系（粒子の）非量子化系（粒子の）非量子化系（粒子の）非量子化系
pl układ niekwantowany (cząstek)
pt sistema não quantificado (de partículas)
sv okvantiserat system
521-01-02
système quantifié (de particules), m
système de particules dont les énergies ne peuvent prendre que des valeurs discrètes
quantized system (of particles)
system of particles the energies of which can have discrete values only
cn 量子化系统量子化系统（粒子的量子化系统量子化系统 ）
de quantisiertes System (von Teilchen), n
es sistema cuantificado (de partículas)
ja （粒子の）量子化系（粒子の）量子化系（粒子の）量子化系（粒子の）量子化系
pl układ kwantowany (cząstek)
pt sistema quantificado (de partículas)
sv kvantiserat system
60050-521  IEC:2002 – 4 –
521-01-03
statistique de Maxwell-Boltzmann, f
ensemble de probabilités des états macroscopiques d'un système non quantifié de particules
déterminé par les valeurs moyennes des coordonnées de positions, des vitesses ou de
l'énergie, dans un volume très petit, mais non nul du système
Maxwell-Boltzmann statistics
probability distribution of the macroscopic states of a non-quantized system of particles,
defined by the average values of the position, velocity or energy co-ordinates, in a very small,
but finite, volume of the system
麦克斯韦麦克斯韦--玻尔兹曼统计玻尔兹曼统计
cn 麦克斯韦麦克斯韦--玻尔兹曼统计玻尔兹曼统计
de Maxwell-Boltzmann-Statistik, f
es estadística de Maxwell-Boltzmann
ja マックスウェル‐マックスウェル‐マックスウェル‐マックスウェル‐ボルツマン統計ボルツマン統計ボルツマン統計ボルツマン統計
pl rozkład Maxwella-Boltzmanna
pt estatística de Maxwell-Boltzmann
sv Maxwell-Boltzmann-fördelning
521-01-04
relation de Boltzmann, f
relation exprimant que, à une constante additive près, l'entropie d'un système de particules
est égale au produit du logarithme népérien de la probabilité de son état macroscopique par
la constante de Boltzmann
Boltzmann relation
equation stating that, apart from an additive constant, the entropy of a system of particles is
equal to the product of the Napierian (natural) logarithm of the probability of its macroscopic
state and the Boltzmann constant
cn 玻尔兹曼关系玻尔兹曼关系玻尔兹曼关系玻尔兹曼关系
de Boltzmann-Beziehung, f
es relación de Boltzmann
ja ボルツマン関係ボルツマン関係ボルツマン関係ボルツマン関係
pl zależność Boltzmanna
pt relação de Boltzmann
sv Boltzmanns ekvation
– 5 – 60050-521  CEI:2002
521-01-05
loi de distribution des vitesses de Maxwell-Boltzmann, f
relation algébrique donnant le nombre dN de particules d'un système non quantifié dont les
composantes de vitesse sont comprises respectivement dans les intervalles (u, u + du), (v, v + dv),
(w, w + dw) :
2 2 2
 
− m (u + v + w )
d N = A ⋅ exp du ⋅ dv ⋅ d w
 
2 kT
 
 
où
3/2
 m 
A = N
 
(2 π ⋅ kT )
 
N désigne le nombre total de particules
m la masse d'une particule
T la température thermodynamique
k la constante de Boltzmann
NOTE – dN/N représente la probabilité pour qu'une particule ait ses composantes de vitesse
comprises dans les intervalles considérés.
Maxwell-Boltzmann velocity-distribution law
algebraic equation giving the number dN of particles of a non-quantized system, the
u, u + du), (v, v + dv), (w, w + dw
components of velocity of which are comprised in the intervals ( )
respectively:
2 2 2
 
− m (u + v + w )
d N = A ⋅ exp d u ⋅ d v ⋅ d w
 
2 kT
 
 
where
3/2
 
m
A = N
 
(2 π ⋅ kT )
 
N is the total number of particles
m is the mass of a particle
T is the thermodynamic temperature
k is the Boltzmann constant
NOTE – dN/N represents the probability that a particle has its components of velocity within the inter-
vals considered.
cn 麦克斯韦麦克斯韦麦克斯韦麦克斯韦----玻尔兹曼速度分布律玻尔兹曼速度分布律玻尔兹曼速度分布律玻尔兹曼速度分布律
de Maxwell-Boltzmann-Geschwindigkeitsverteilung, f
es ley de distribución de las velocidades de Maxwell-Boltzmann
ja マックスウェル‐マックスウェル‐マックスウェル‐マックスウェル‐ボルツマン速度分布則ボルツマン速度分布則ボルツマン速度分布則ボルツマン速度分布則
pl prawo rozkładu prędkości Maxwella-Boltzmanna
pt lei de distribuição das velocidades de Maxwell-Boltzmann
sv Maxwell-Boltzmanns hastighetsfördelning

60050-521  IEC:2002 – 6 –
521-01-06
atome de Bohr, m
modèle de l'atome fondé sur les conceptions de Bohr et de Sommerfeld, d'après lesquelles
les électrons d'un atome décriraient autour du noyau des orbites circulaires ou elliptiques
discrètes
NOTE – A chacun des degrés de liberté de l'atome correspond une série d'états énergétiques qui
déterminent les séries spectrales susceptibles d'être émises par l'atome.
Bohr atom
model of the atom based on the conception of Bohr and Sommerfeld, according to which the
electrons of an atom move around the nucleus in discrete circular or elliptical orbits
NOTE – To each of the degrees of freedom of the atom there corresponds a series of energy states
which determine the spectral series that may be emitted by the atom.
cn 玻尔原子玻尔原子
玻尔原子玻尔原子
de Bohr-Atommodell, n
es átomo de Bohr
ja ボーア原子ボーア原子
ボーア原子ボーア原子
pl atom Bohra
pt átomo de Bohr
sv Bohrs atommodell
521-01-07
nombre quantique (d'un électron dans un atome donné), m
chacun des nombres caractérisant les degrés de liberté d'un électron dans un atome donné :
– le nombre quantique principal n
– le nombre quantique secondaire l
– le nombre quantique de spin s
– le nombre quantique interne j
quantum number (of an electron in a given atom)
each of the numbers characterizing the degree of freedom of an electron in a given atom:
– the principal quantum number n
– the orbital quantum number l
– the spin quantum number s
– the total angular momentum quantum number j
cn 量子数（给定原量子数 子中电子的）
量子数量子数
de Quantenzahl (eines Elektrons in einem gegebenen Atom), f
es número cuántico (de un electrón de un átomo dado)
ja （与えられた原子内の電子の）量子数（与えられた原子内の電子の）量子数
（与えられた原子内の電子の）量子数（与えられた原子内の電子の）量子数
pl liczba kwantowa (elektronu w danym atomie)
pt número quântico (de um electrão num átomo dado)
sv kvanttal
– 7 – 60050-521  CEI:2002
521-01-08
symb. : n
nombre quantique principal, m
nombre quantique entier positif qui caractérise les variations importantes du niveau d'énergie
des électrons dans un atome
NOTE – Selon le modèle de l'atome de Bohr, le nombre quantique principal peut être considéré comme
caractérisant le grandeur de l'orbite d'un électron.
principal quantum number
first quantum number
positive integer number characterizing the important changes of energy level of the electrons
in an atom
NOTE – According to the Bohr atom model, the main quantum number may be considered as
characterizing the size of an electron orbit.
cn 主量子数主量子数主量子数主量子数
de Hauptquantenzahl, f
es número cuántico principal
ja 主量子数；第主量子数；第主量子数；第主量子数；第1量子数量子数量子数量子数
pl liczba kwantowa główna; liczba kwantowa pierwsza
pt número quântico principal
sv huvudkvanttal
521-01-09
symb. : l
nombre quantique secondaire, m
nombre quantique orbital, m
nombre quantique qui peut prendre toutes les valeurs entières de zéro à n–1, n désignant le
nombre quantique principal
NOTE – Selon le modèle de l'atome de Bohr, le nombre quantique secondaire peut être considéré
comme caractérisant le moment cinétique de l'électron dans son mouvement orbital.
orbital quantum number
second quantum number
quantum number which can have all whole values from zero to n–1, n designating the main
quantum number
NOTE – According to the Bohr atom model, the orbital quantum number may be considered as
characterizing the angular momentum of the electron in its orbital motion round the nucleus.
cn 轨道量子数轨道量子数
轨道量子数轨道量子数
de Bahndrehimpulsquantenzahl, f
es número cuántico secundario
ja 軌道量子数；第軌道量子数；第2量子数量子数
軌道量子数；第軌道量子数；第 量子数量子数
pl liczba kwantowa orbitalna; liczba kwantowa druga
pt número quântico orbital; número quântico secundário
sv bikvanttal
60050-521  IEC:2002 – 8 –
521-01-10
symb. : s
(nombre quantique de) spin, m
nombre quantique qui caractérise le moment cinétique de l'électron considéré comme une
petite sphère chargée en rotation autour de son axe
NOTE – Le spin peut prendre deux valeurs : +1/2 et –1/2.
spin (quantum number)
quantum number which gives the angular momentum of the electron considered as a small
charged sphere revolving rotating around its axis
NOTE – The spin may have two values: +1/2 or –1/2.
cn 自旋自旋自旋自旋((((量子数量子数量子数量子数))))
de Spinquantenzahl, f; Spin, m
es espín
ja スピン（量子数）スピン（量子数）スピン（量子数）スピン（量子数）
pl liczba spinowa; spin
pt (número quântico de) spin
sv spinnkvanttal
521-01-11
symb. : j
nombre quantique interne, m
nombre quantique qui caractérise la résultante des champs magnétiques engendrés par
l'électron, d'une part dans son mouvement orbital et d'autre part dans son mouvement de rotation
NOTE – Les valeurs de ce nombre j forment une suite de nombres semi-entiers et entiers.
total angular momentum quantum number
quantum number which gives the resultant of the magnetic field engendered by the electron
due to its orbital movement and due to its revolving on its own axis
NOTE – The values of this number j form a set of integral and semi-integral values.
cn 总角动量量子数总角动量量子数总角动量量子数总角动量量子数
de Gesamtdrehimpulsquantenzahl, f
es número cuántico interno
ja 総角運動量量子数総角運動量量子数総角運動量量子数総角運動量量子数
pl liczba kwantowa całkowitego momentu kątowego
pt (número quântico de) momento angular total
sv kvanttal för totalt rörelsemängdsmoment
521-01-12
niveau d'énergie, m
énergie correspondant à un état quantifié d'un système physique
energy level (of a particle)
energy associated with a quantum state of a physical system
cn 能级能级（粒子的能级能级 ）
de Energieniveau (eines Teilchens), n
es nivel de energía (de una partícula); nivel energético (de una partícula)
ja ((((粒子の）エネルギー準位粒子の）エネルギー準位粒子の）エネルギー準位粒子の）エネルギー準位
pl poziom energetyczny (cząstki)
pt nível de energia
sv energinivå
– 9 – 60050-521  CEI:2002
521-01-13
diagramme énergétique, m
diagramme représentant les niveaux d'énergie des particules d'un système quantifié par des
droites horizontales, ayant pour ordonnées l'énergie de ces particules
energy-level diagram
diagram representing the energy levels of the particles of a quantized system by horizontal
lines, having for ordinates the energy of these particles
cn 能级图能级图能级图能级图
de Energieniveau-Diagramm, n
es diagrama energético
ja エネルギー準位図エネルギー準位図エネルギー準位図エネルギー準位図
pl wykres poziomów energetycznych (cząstek)
pt diagrama de níveis de energia; diagrama energético
sv energinivådiagram
521-01-14
principe d'exclusion de Pauli-Fermi, m
principe suivant lequel chaque niveau d'énergie d'un système quantifié ne peut contenir que
zéro, une ou deux particules
NOTE – Dans le cas de deux électrons, les spins sont de signes contraires.
Pauli-Fermi exclusion principle
Pauli principle
principle stating that each energy level of a quantized system can include only none, one or
two particles
NOTE – In the case of two electrons, the spins are of opposite sign.
cn 泡利泡利泡利泡利----费米不相容原理；泡利原理费米不相容原理；泡利原理费米不相容原理；泡利原理费米不相容原理；泡利原理
de Pauli-Prinzip, n
es principio de exclusión de Pauli-Fermi
ja パウリ‐パウリ‐フェルミの排他律；パウリの原理フェルミの排他律；パウリの原理
パウリ‐パウリ‐フェルミの排他律；パウリの原理フェルミの排他律；パウリの原理
pl zasada Pauliego-Fermiego; zakaz Pauliego
pt princípio de exclusão de Pauli-Fermi
sv Pauli-Fermis princip
521-01-15
statistique de Fermi-Dirac, f
statistique de Fermi, f
ensemble de probabilités des états macroscopiques d'un système quantifié de particules,
satisfaisant au principe d'exclusion de Pauli-Fermi
Fermi-Dirac statistics
Fermi statistics
set of probabilities of the macroscopic states of a quantized system of particles, with only
discrete energy levels, obeying the Pauli-Fermi exclusion principle
cn 费米费米费米费米----狄拉克统计；费米统计狄拉克统计；费米统计狄拉克统计；费米统计狄拉克统计；费米统计
de Fermi-Dirac-Statistik, f; Fermi-Statistik, f
es estadística de Fermi-Dirac; estadística de Fermi
ja フェルミ‐フェルミ‐フェルミ‐フェルミ‐ディラック統計；フェルミ統計ディラック統計；フェルミ統計ディラック統計；フェルミ統計ディラック統計；フェルミ統計
pl rozkład Fermiego-Diraca
pt estatística de Fermi-Dirac; estatística de Fermi
sv fermistatistik
60050-521  IEC:2002 – 10 –
521-01-16
fonction de Fermi-Dirac, f
fonction qui exprime la probabilité P(E) pour qu'une particule satisfaisant à la statistique de
Fermi occupe un niveau d'énergie autorisé E
P ( E ) =
E − E
 
F
1 + exp
 
kT
 
où
k est la constante de Boltzmann
T est la température thermodynamique
E est le niveau de Fermi
F
et où ce niveau est quantifié et peut contenir 0, 1 ou 2 électrons.
Fermi-Dirac function
function expressing the probability P(E), for a particle obeying Fermi statistics, that it will
occupy a permitted energy level (E)
P ( E ) =
E − E
 
F
1 + exp
 
kT
 
where
k is the Boltzmann constant
T is the thermodynamic temperature
E is the Fermi-level
F
and where this level is quantized and may contain 0, 1 or 2 electrons.
cn 费米费米费米费米----狄拉克函数狄拉克函数狄拉克函数狄拉克函数
de Fermi-Dirac-Funktion, f
es función de Fermi-Dirac
ja フェルミ‐フェルミ‐フェルミ‐フェルミ‐ディラック関数ディラック関数ディラック関数ディラック関数
pl funkcja Fermiego-Diraca
pt função de Fermi-Dirac
sv Fermi-Dirac-funktion
– 11 – 60050-521  CEI:2002
521-01-17
niveau de Fermi, m
dans un solide, niveau d'énergie qui sépare les états occupés des états inoccupés à la
température de zéro kelvin
NOTE – Quand une bande interdite sépare les états occupés des états inoccupés, le niveau de Fermi
est assigné au milieu de la bande interdite.
Fermi level
in a solid, energy level separating the occupied states from the unoccupied states at a
temperature of zero kelvin
NOTE – When a forbidden band separates the occupied and unoccupied states, the Fermi-level is
assigned to the centre of the forbidden band.
cn 费米能级费米能级费米能级费米能级
de Fermi-Niveau, n
es nivel de Fermi
ja フェルミ準位フェルミ準位フェルミ準位フェルミ準位
pl poziom Fermiego
pt nível de Fermi
sv ferminivå
521-01-18
électron célibataire, m
électron qui se trouve seul sur un niveau d'énergie
lone electron
electron which is alone on an energy level
cn 孤电子孤电子
孤电子孤电子
de Einzelelektron, n
es electrón suelto
ja 孤立電子孤立電子孤立電子孤立電子
pl elektron samotny
pt electrão solitário
sv ensam elektron
60050-521  IEC:2002 – 12 –
521-01-19
loi de distribution des vitesses de Fermi-Dirac-Sommerfeld, f
relation algébrique donnant le nombre de particules dN d'un système quantifié en équilibre,
dont les composantes de vitesse sont comprises dans des intervalles (u, u + du), (v, v + dv),
(w, w + dw) :
m du ⋅ d v ⋅ d w
d N = 2 N ⋅ ⋅
E − E
 
h
M
1 + exp
 
kT
 
où
N désigne le nombre total de particules
m la masse d'une particule
T la température thermodynamique
k la constante de Boltzmann
h la constante de Planck
E l'énergie cinétique d'une particule,
m
2 2 2
E =  (u + v + w )
E la fonction de travail interne
M
dN/N représente la probabilité pour qu'une particule ait ses composantes de vitesse
comprises dans les intervalles considérés.

– 13 – 60050-521  CEI:2002
521-01-19
Fermi-Dirac-Sommerfeld velocity distribution law
algebraic equation giving the number dN of particles of a quantized system in equilibrium, the
velocity components of which are included in the intervals (u, u + du), (v, v + dv), (w, w + dw):
respectively:
m du ⋅ d v ⋅ d w
d N = 2 N ⋅ ⋅
 E − E 
h
M
1 + exp
 
kT
 
where
N is the total number of particles
m is the mass of the particle
T is the thermodynamic temperature
k is the Boltzmann constant
h is the Planck constant
E is the kinetic energy of a particle,
m
2 2 2
E =  (u + v + w )
E is the inner work function
M
dN/N represents the probability that a particle has its components within the intervals
considered.
cn 费米费米--狄拉克狄拉克--索末菲速度分布律索末菲速度分布律
费米费米--狄拉克狄拉克--索末菲速度分布律索末菲速度分布律
de Fermi-Dirac-Sommerfeld-Geschwindigkeitsverteilung, f
es ley de distribución de las velocidades de Fermi-Dirac-Sommerfeld
ja フェルミ‐フェルミ‐フェルミ‐フェルミ‐ディラックディラックディラックディラック‐‐‐‐ゾンマーフェルト速度分布則ゾンマーフェルト速度分布則ゾンマーフェルト速度分布則ゾンマーフェルト速度分布則
pl prawo rozkładu prędkości Fermiego-Diraca-Sommerfelda
pt lei de distribuição das velocidades de Fermi-Dirac-Sommerfeld
sv fermifördelning
521-01-20
effet photoélectrique, m
phénomène électrique produit par l'absorption de photons
photoelectric effect
electrical phenomena produced by absorption of photons
cn 光电效应光电效应光电效应光电效应
de photoelektrischer Effekt, m; Photoeffekt, m
es efecto fotoeléctrico
ja 光電効果光電効果光電効果光電効果
pl zjawisko fotoelektryczne
pt efeito fotoeléctrico
sv fotoelektrisk effekt
60050-521  IEC:2002 – 14 –
521-01-21
effet photovoltaïque, m
effet photoélectrique dans lequel l'absorption de photons produit une force électromotrice
photovoltaic effect
photoelectric effect in which an e.m.f. is produced by the absorption of photons
cn 光生伏打效应；光伏效应光生伏打效应；光伏效应光生伏打效应；光伏效应光生伏打效应；光伏效应
de Sperrschicht-Photoeffekt, m; photovoltaischer Effekt, m
es efecto fotovoltaico
ja 光起電力効果光起電力効果光起電力効果光起電力効果
pl zjawisko fotowoltaiczne
pt efeito fotovoltaico
sv fotoelektromotorisk effekt
521-01-22
effet photoconductif, m
effet photoélectrique caractérisé par une variation de conductivité électrique
photoconductive effect
photoelectric effect characterized by the variation of electric conductivity
cn 光电导效应光电导效应光电导效应光电导效应
de Photoleiteffekt, m
es efecto fotoconductivo
ja 光導電効果光導電効果光導電効果光導電効果
pl zjawisko fotokonduktywne
pt efeito fotocondutivo
sv fotokonduktiv effekt
521-01-23
effet photoélectromagnétique, m
dans un semiconducteur soumis à un champ magnétique et à un rayonnement électro-
magnétique, apparition d'un champ électrique perpendiculaire au champ magnétique et au
flux des porteurs de charge engendrés par effet photoélectrique et diffusant dans le
semiconducteur
photoelectromagnetic effect
in a semiconductor subjected to a magnetic field and electromagnetic radiation, the develo-
pment of an electric field perpendicular to the magnetic field and to the flow of charge carriers
generated by the photoelectric effect and diffusing in the semiconductor
cn 光磁电效应光磁电效应光磁电效应光磁电效应
de photoelektromagnetischer Effekt, m
es efecto fotoelectromagnético
ja 光電磁効果光電磁効果光電磁効果光電磁効果
pl zjawisko fotomagnetoelektryczne
pt efeito fotoelectromagnético
sv fotoelektromagnetisk effekt

– 15 – 60050-521  CEI:2002
Section 521-02 – Propriétés des matériaux semiconducteurs
Section 521-02 – Properties of semiconductor materials
521-02-01
semiconducteur, m
substance dont la conductivité totale due aux porteurs de charge des deux signes est
normalement comprise entre celle des conducteurs et celle des isolants, et dont la densité
des porteurs de charge peut être modifiée par des excitations extérieures
semiconductor
substance whose total conductivity due to charge carriers of both signs is normally in the
range between that of conductors and insulants, and in which the charge carrier density can
be changed by external means
cn 半导体半导体半导体半导体
de Halbleiter, m
es semiconductor
ja 半導体半導体半導体半導体
pl półprzewodnik
pt semicondutor
sv halvledare
521-02-02
semiconducteur élémentaire, m
semiconducteur constitué à l'état pur d'un seul élément
single-element semiconductor
semiconductor which in the pure state consists of a single element
cn 单元素半导体单元素半导体单元素半导体单元素半导体
de Einzelelement-Halbleiter, m
es semiconductor elemental
ja 単元素半導体単元素半導体単元素半導体単元素半導体
pl półprzewodnik pierwiastkowy
pt semicondutor elementar
sv ettelementshalvledare
521-02-03
semiconducteur composé, m
semiconducteur constitué à l'état pur de plusieurs éléments dans des proportions proches de
leur composition stoechiométrique
compound semiconductor
semiconductor which in the pure state consists of several elements in proportions close to the
stochiometric composition
cn 化合物半导体化合物半导体化合物半导体化合物半导体
de Verbindungshalbleiter, m
es semiconductor compuesto
ja 化合物半導体化合物半導体化合物半導体化合物半導体
pl półprzewodnik złożony
pt semicondutor composto
sv sammansatt halvledare
60050-521  IEC:2002 – 16 –
521-02-04
impureté, f
atomes étrangers dans un semiconducteur élémentaire
atomes étrangers ou atomes en excédent ou déficit par rapport à la composition stoechio-
métrique d'un semiconducteur composé
impurity
foreign atoms in a single-element semiconductor
foreign atoms or either an excess or a deficiency of atoms with respect to the stochiometric
composition of a compound semiconductor
杂质杂质
cn 杂质杂质
de Störstelle, f
es impurezas
ja 不純物不純物不純物不純物
pl domieszka; zanieczyszczenie
pt impureza
sv störämne
521-02-05
énergie d'activation des impuretés, f
écart entre un niveau d'énergie intermédiaire dû à une impureté et la bande énergétique
v
...