Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices

IEC 63373:2022 In general, dynamic ON-resistance testing is a measure of charge trapping phenomena in GaN power transistors. IEC 63373:2022 provides guidelines for testing dynamic ON-resistance of GaN lateral power transistor solutions. The test methods can be applied to the following:
a) GaN enhancement and depletion-mode discrete power devices;
b) GaN integrated power solutions;
c) the above in wafer and package levels.
The prescribed test methods can be used for device characterization, production testing, reliability evaluations and application assessments of GaN power conversion devices. This document is not intended to cover the underlying mechanisms of dynamic ON-resistance and its symbolic representation for product specifications.

Lignes directrices pour les méthodes d’essai de résistance dynamique à l’état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN

IEC 63373:2022 En règle générale, l’essai de résistance dynamique à l’état passant est une mesure des phénomènes de piégeage de charge dans les transistors de puissance en GaN. L'IEC 63373:2022 donne des lignes directrices pour l’essai de résistance dynamique à l’état passant des solutions de transistors de puissance latéraux en GaN. Les méthodes d’essai peuvent être appliquées aux éléments suivants:
a) dispositifs de puissance discrets en GaN à mode d’enrichissement et de déplétion;
b) solutions de puissance intégrées en GaN;
c) dispositifs et solutions ci-dessus au niveau des plaquettes et des boîtiers.
Les méthodes d’essai spécifiées peuvent être utilisées pour la caractérisation des dispositifs, les essais de production, les évaluations de fiabilité et les évaluations de l’application des dispositifs de conversion de puissance en GaN. Le présent document n’est pas destiné à couvrir les mécanismes sous-jacents de la résistance dynamique à l’état passant et sa représentation symbolique pour les spécifications du produit.

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Published
Publication Date
09-Feb-2022
Technical Committee
Drafting Committee
Current Stage
PPUB - Publication issued
Start Date
10-Mar-2022
Completion Date
10-Feb-2022
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IEC 63373:2022 - Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices
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Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power
conversion devices

Lignes directrices pour les méthodes d’essai de résistance dynamique à l’état
passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en
GaN

IEC 63373:2022-02(en-fr)

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