Amendment 4 - International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated materials for frequency control, selection and detection

Amendement 4 - Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) - Partie 561: Dispositifs piézoélectriques, diélectriques et électrostatiques et matériaux associés pour la détection, le choix et la commande de la fréquence

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08-Aug-2021
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021 - Amendment 4 - International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated materials for frequency control, selection and detection
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IEC 60050-561
Edition 2.0 2021-08
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
HO RIZONTAL PUBLICATION
PU BLICATION HORIZONTALE
AMENDMENT 4
AMENDEMENT 4
International Electrotechnical Vocabulary (IEV) –
Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated
materials for frequency control, selection and detection
Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) –
Partie 561: Dispositifs piézoélectriques, diélectriques et électrostatiques et
matériaux associés pour la détection, le choix et la commande de la fréquence
IEC 60050-561:2014-11/AMD4:2021-08(en-fr)
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IEC 60050-561
Edition 2.0 2021-08
INTERNATIONAL
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NORME
INTERNATIONALE
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AMENDMENT 4
AMENDEMENT 4
International Electrotechnical Vocabulary (IEV) –
Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated
materials for frequency control, selection and detection
Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) –
Partie 561: Dispositifs piézoélectriques, diélectriques et électrostatiques et
matériaux associés pour la détection, le choix et la commande de la fréquence
INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
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– 2 – IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021
FOREWORD

This amendment specifies changes made to the International Electrotechnical Vocabulary

(www.electropedia.org) which have not been published as a separate standard.

The text of this amendment is based on the following change requests approved by IEC

technical committee 1: Terminology.
Change request Approved
C00067 2021-04-02
C00070 2021-07-02

Full information on the voting for the approval of the change requests constituting this

amendment can be found on the IEV maintenance portal.,
_____________
AVANT-PROPOS

Le présent amendement spécifie les modifications apportées au Vocabulaire Electrotechnique

International (www.electropedia.org) qui n'ont pas été publiées dans des normes
individuelles.

Le texte de cet amendement est issu des demandes de modification suivantes approuvées

par le comité d'études 1 de l’IEC: Terminologie.
Demande de modification Approuvée
C00067 2021-04-02
C00070 2021-07-02

Toute information sur le vote ayant abouti à l'approbation des demandes de modification

constituant cet amendement est disponible sur le portail “IEV maintenance”.
_____________
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021 – 3 –
© IEC 2021
Part 561 / Partie 561
Section 04 Synthetic quartz crystal / Section 04 Cristal de quartz synthétique

Delete IEV 561-04-09, IEV 561-04-11, IEV 561-04-18, IEV 561-04-19, IEV 561-04-21 and

IEV 561-04-22.

Supprimer IEV 561-04-09, IEV 561-04-11, IEV 561-04-18, IEV 561-04-19, IEV 561-04-21 et

IEV 561-04-22.

Replace IEV 561-04-01, IEV 561-04-02, IEV 561-04-03, IEV 561-04-04, IEV 561-04-05,

IEV 561-04-08, IEV 561-04-10, IEV 561-04-13, IEV 561-04-15, IEV 561-04-16, IEV 561-04-17,

IEV 561-04-20, IEV 561-04-23, IEV 561-04-24, IEV 561-04-26, IEV 561-04-28, IEV 561-04-29,

IEV 561-04-31 and IEV 561-04-35 by the following and add IEV 561-04-36, IEV 561-04-37

and IEV 561-04-38.

Remplacer IEV 561-04-01, IEV 561-04-02, IEV 561-04-03, IEV 561-04-04, IEV 561-04-05,

IEV 561-04-08, IEV 561-04-10, IEV 561-04-13, IEV 561-04-15, IEV 561-04-16, IEV 561-04-17,

IEV 561-04-20, IEV 561-04-23, IEV 561-04-24, IEV 561-04-26, IEV 561-04-28, IEV 561-04-29,

IEV 561-04-31 and IEV 561-04-35 par ce qui suit et ajouter IEV 561-04-36, IEV 561-04-37 et

IEV 561-04-38.
Section 07 Materials for Surface Acoustic Wave (SAW) devices /
Section 07 Matériaux pour les dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS)
Delete IEV 561-07-01.
Supprimer IEV 561-07-01.

Replace IEV 561-07-02, IEV 561-07-03, IEV 561-07-04, IEV 561-07-07, IEV 561-07-09,

IEV 561-07-11, IEV 561-07-12, IEV 561-07-13, IEV 561-07-14, IEV 561-07-15, IEV 561-07-16,

IEV 561-07-17, IEV 561-07-18, IEV 561-07-19, IEV 561-07-20, IEV 561-07-21, IEV 561-07-24,

IEV 561-07-25, IEV 561-07-26, IEV 561-07-27, IEV 561-07-29, IEV 561-07-30, IEV 561-07-31,

IEV 561-07-32, IEV 561-07-33, IEV 561-07-34, IEV 561-07-35, IEV 561-07-36, IEV 561-07-37

and IEV 561-07-38 by the following and add IEV 561-07-40.

Remplacer IEV 561-07-02, IEV 561-07-03, IEV 561-07-04, IEV 561-07-07, IEV 561-07-09,

IEV 561-07-11, IEV 561-07-12, IEV 561-07-13, IEV 561-07-14, IEV 561-07-15, IEV 561-07-16,

IEV 561-07-17, IEV 561-07-18, IEV 561-07-19, IEV 561-07-20, IEV 561-07-21, IEV 561-07-24,

IEV 561-07-25, IEV 561-07-26, IEV 561-07-27, IEV 561-07-29, IEV 561-07-30, IEV 561-07-31,

IEV 561-07-32, IEV 561-07-33, IEV 561-07-34, IEV 561-07-35, IEV 561-07-36, IEV 561-07-37

et IEV 561-07-38 par ce qui suit et ajouter IEV 561-07-40.
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 4 – © IEC 2021
561-04 Synthetic quartz crystal
561-04 Cristal de quartz synthétique
561-04-01
AT-cut plate

rotated Y-cut crystal plate oriented at an angle of about +35° around the X-axis or of about –3° from the z (minor

rhombohedral) face

Note 1 to entry: The AT-cut plate is shown in Figure 1. The orthogonal axial system is defined in IEV 561-04-24.

Figure 1 – AT-cut plate and z (minor rhombohedral) cut plate
lame taille AT, f

lame de cristal taille Y orientée selon un angle d’environ +35° par rapport à l’axe X ou d’environ –3° par rapport

à la face z (rhombohédral mineur)

Note 1 à l'article: La lame taille AT est illustrée à la Figure 1. Le système axial orthogonal est définie en IEV 561-

04-24.
Figure 1 – Lame taille AT et lame taille z (rhombohédral mineur)
561-04-02
as-grown Y-bar

bar comprising crystals that are grown by using a long stick seed in the Y-direction

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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 5 –
barre Y brute, f
barre comprenant des cristaux obtenus à l’aide d'un germe long dans le sens Y
561-04-03
as-grown Z-bar
bar comprising crystals that are grown by using Z-cut seed
barre Z brute, f
barre comprenant des cristaux obtenus à l'aide d'un germe taille Z
561-04-04
as-grown synthetic quartz crystal
synthetic quartz crystal prior to grinding or cutting
cristal de quartz synthétique brut, m
cristal de quartz synthétique avant polissage ou découpage
561-04-05
autoclave

vessel for the high-pressure and high-temperature condition required for the growth of a synthetic quartz crystal

autoclave, m

récipient haute température et haute pression requis pour la croissance d'un cristal de quartz synthétique

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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 6 – © IEC 2021
561-04-08
eff
effective Z-dimension

minimum distance in the Z (Θ = 0°) or the Z' direction in the usable Y or Y' area of an as-grown synthetic quartz

crystal
Note 1 to entry: The effective Z-dimension is shown in Figure 1.
Figure 1 – Z of a synthetic quartz crystal grown on a Z-cut seed
eff
dimension Z effective, f

distance minimale dans la direction Z (Θ = 0°) ou la direction Z' dans l'aire utilisable Y ou Y' d'un cristal de

quartz synthétique brut
Note 1 à l'article: La dimension Z effective est illustrée à la Figure 1.
Figure 1 – Z d'un cristal de quartz synthétique cultivé sur un germe taille Z
eff
561-04-10
etch channel

roughly cylindrical void that is present along the dislocation line after etching a quartz crystal

canal électrolytique, m

vide à peu près cylindrique le long de la ligne de dislocation suite au gravage d’un cristal de quartz

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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 7 –
561-04-13
hydrothermal crystal growth

crystal growth in the presence of water, elevated temperatures and elevated pressures by a crystal growth process

believed to proceed geologically within the Earth's crust

Note 1 to entry: The industrial synthetic quartz crystal growth processes utilize alkaline water solutions confined

within autoclaves at a supercritical state with temperatures of 330 °C to 400 °C and pressures of 71 MPa to

203 MPa.

Note 2 to entry: The autoclave is divided into two chambers: the dissolving chamber, containing raw quartz chips

at the higher temperature; the growing chamber, containing cut seeds at the lower temperature.

croissance hydrothermale du cristal, f

croissance du cristal en présence d’eau, de températures et de pressions élevées par un procédé de croissance du

cristal supposée géologique dans la croûte terrestre

Note 1 à l’article: Les procédés de croissance du cristal de quartz synthétique industriel utilisent des solutions

aqueuses alcalines confinées dans des autoclaves à un état supercritique avec des températures de 330 °C à

400 °C et des pressions de 71 MPa à 203 MPa.

Note 2 à l'article: L’autoclave est divisé en deux chambres: la chambre de dissolution, contenant des éclats de

quartz bruts à la température la plus élevée, et la chambre de croissance, contenant des germes à la température la

plus basse.
561-04-15
inclusion

foreign material within a synthetic quartz crystal, detectable by examination of scattered light

Note 1 to entry: Particularly common inclusions are the minerals called acmite and emeleusite.

Note 2 to entry: This entry was numbered 561-05-06 in IEC 60050-561:1991.
inclusion, f

corps étranger localisé à l’intérieur d’un cristal de quartz synthétique, détectable par examen de la lumière diffuse

Note 1 à l’article: Des inclusions particulièrement courantes sont les minéraux appelés acmite et emeleusite.

Note 2 à l'article: Cet article était numéroté 561-05-06 dans l'IEC 60050-561:1991.

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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 8 – © IEC 2021
561-04-16
infrared absorption coefficient
α-value

coefficient established by determining the relationship of the transmittance at two infrared wavenumbers

Note 1 to entry: The absorption measurement is carried out at the following two wavenumbers:

5 –1 5 –1

a. at the reference wavenumber (3,800 × 10 m or 3,979 × 10 m ), where the infrared absorption is very

small,
5 –1 5 –1

b. at the absorption wavenumber (3,500 × 10 m or 3,585 × 10 m ), where the infrared absorption due

to hydroxyl (OH) impurities in the crystal lattice becomes large.

Note 2 to entry: Hydroxyl (OH) impurities create mechanical loss in resonators and their presence is correlated

with the presence of other loss-inducing impurities. The infrared absorption coefficient is a measure of hydroxyl

(OH) concentration and is correlated with expected mechanical losses due to material impurities.

Note 3 to entry: The infrared absorption coefficient is expressed by the following equation using the logarithm

base 10:
1 T
log
t T
where
α is the infrared absorption coefficient;
t is the thickness of the Y-cut sample, in centimetres;
5 –1 5 –1
T is the transmittance at a wavenumber of 3,800 × 10 m or 3,979 × 10 m ;
5 –1 5 –1
T is the transmittance at a wavenumber of 3,500 × 10 m or 3,585 × 10 m .
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 9 –
coefficient d’absorption dans l’infrarouge, m
valeur α, f

coefficient établi par détermination du facteur de transmission à deux nombres d’onde infrarouge

Note 1 à l'article: Le mesurage de l'absorption est effectué aux deux nombres d'onde suivants:

5 –1 5 –1

a. au nombre d'onde de référence (3,800 × 10 m ou 3,979 × 10 m ), où l'absorption infrarouge est très

faible,
5 –1 5 –1

b. au nombre d'onde d'absorption (3,500 × 10 m ou 3,585 × 10 m ), où l'absorption infrarouge due aux

impuretés hydroxyle (OH) dans le réseau cristallin devient élevée.

Note 2 à l'article: Les impuretés hydroxyle (OH) sont à l’origine d’une perte mécanique dans les résonateurs et

leur présence est corrélée à celle d’autres impuretés induisant une perte. Le coefficient d'absorption dans

l'infrarouge est une mesure de la concentration hydroxyle (OH) et est corrélée aux pertes mécaniques prévues

dues aux impuretés du matériau.

Note 3 à l'article: Le coefficient d'absorption dans l'infrarouge est exprimé par l'équation suivante en utilisant le

logarithme base 10:
1 T
α= log
t T
α est le coefficient d’absorption dans l’infrarouge;
t est l’épaisseur de l’échantillon de coupe Y, en centimètres;
5 –1 5 –1

T est le facteur de transmission à un nombre d’onde de 3,800 × 10 m ou 3,979 × 10 m ;

5 –1 5 –1

T est le facteur de transmission à un nombre d’onde de 3,500 × 10 m ou 3,585 × 10 m .

561-04-17
lumbered synthetic quartz crystal

synthetic quartz crystal whose X- and Z- or Z'- surfaces in the as-grown condition have been processed flat and

parallel by sawing, grinding, lapping, etc., to meet specified requirements for dimensions and orientation

cristal de quartz synthétique préébauché, m

cristal de quartz synthétique dont les surfaces X et Z ou Z' dans la condition "brute" ont été aplanies et mises en

parallèle par sciage, polissage, rodage, etc., de manière à satisfaire aux exigences des dimensions et de

l’orientation spécifiées
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 10 – © IEC 2021
561-04-20
min
minimum Z-dimension

minimum distance from the seed surface to the Z-surface of an as-grown synthetic quartz crystal

Note 1 to entry: The minimum Z-dimension is shown in Figure 1.
Figure 1 – Z of a synthetic quartz crystal grown on a Z-cut seed
min
dimension Z minimale, f

distance minimale entre la surface du germe et la surface Z d'un cristal de quartz synthétique brut

Note 1 to entry: La dimension Z minimale est présentée à la Figure 1.
Figure 1 – Z d'un cristal de quartz synthétique cultivé sur un germe taille Z
min
561-04-23
pre-dimensioned bar

bar whose as-grown dimensions have been altered by sawing, grinding, lapping, etc., to meet a particular

requirement for dimensions
Note 1 to entry: This entry was numbered 561-05-10 in IEC 60050-561:1991.
---------------------- Page: 12 ----------------------
IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 11 –
barre prédimensionnée, f

barre dont les dimensions brutes ont été modifiées par sciage, polissage, rodage, etc. de manière à satisfaire à une

exigence particulière des dimensions

Note 1 à l'article: Cet article était numéroté 561-05-10 dans l'IEC 60050-561:1991.

---------------------- Page: 13 ----------------------
IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 12 – © IEC 2021
561-04-24
orthogonal axial system,

coordinate system composed of three mutually perpendicular axes (X-, Y- and Z-axes) as illustrated in Figure 1

Figure 1 – Quartz crystal axial system and designation

Note 1 to entry: Note that α quartz crystal expressed by the orthogonal axial system in IEC standards is different

to that specified in IEEE Standard 176-1987. More details are provided in IEC 60758:2016, Annex F

“Differences of the orthogonal axial system for quartz between IEC standard and IEEE standard".

---------------------- Page: 14 ----------------------
IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 13 –
système axial orthogonal, m

système de coordonnées constitué de trois axes mutuellement perpendiculaires (axes X, Y et Z), tel qu'illustré à la

Figure 1
Figure 1 – Axe et sens de taille d'un cristal de quartz

Note 1 à l'article: Noter que le cristal de quartz α est exprimé par le système axial orthogonal dans les normes de

l'IEC est différent de celui spécifié dans la norme IEEE 176-1987. Davantage de détails sont donnés à l'Annexe F

---------------------- Page: 15 ----------------------
IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 14 – © IEC 2021

de l'IEC 60758:2016, "Différence de systèmes axiaux orthogonaux du quartz entre la norme IEC et la norme

IEEE".
561-04-26
…-handed quartz crystal

handedness of a quartz crystal, as determined by observing the sense of handedness of the optical rotation in

polarized light

Note 1 to entry: Right-handed quartz crystal is the crystal of dextrorotatory and left-handed quartz crystal is the

crystal of levorotatory.
cristal de quartz …, m

chilarité d’un cristal de quartz, déterminée par observation du sens de chilarité de la rotation optique dans la

lumière polarisée

Note 1 à l’article: Le cristal de quartz droit est le cristal dextrogyre et le cristal de quartz gauche est le cristal

lévogyre.
561-04-28
seed veil

array of inclusions or voids at the surface of the seed upon which a synthetic quartz crystal has been grown

Note 1 to entry: This entry was numbered 561-05-07 in IEC 60050-561:1991.
voile de germe, m

ensemble des inclusions ou des lacunes à la surface d’un germe sur lequel un cristal de quartz synthétique a été

développé

Note 1 à l'article: Cet article était numéroté 561-05-07 dans l'IEC 60050-561:1991.

561-04-29
synthetic quartz crystal
cultured quartz crystal
single crystal of α quartz grown by the hydrothermal method
cristal de quartz synthétique, m
monocristal de quartz α obtenu par la méthode hydrothermale
561-04-31
twin

two or more identical single crystals that are combined by the law of symmetrical plane or axis

---------------------- Page: 16 ----------------------
IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 15 –
macle, f

deux ou plus de deux cristaux simples identiques qui sont combinés par la loi de symétrie plane ou axiale

561-04-35
z (minor rhombohedral) cut plate
crystal plate parallel to the z (minor rhombohedral) face

Note 1 to entry: The z (minor rhombohedral) cut plate is shown in Figure 1. The orthogonal axial system is

defined in IEV 561-04-24.
Figure 1 – AT-cut plate and z (minor rhombohedral) cut plate
lame taille z (rhombohédral mineur), f
lame de cristal parallèle à la face z (rhombohédral mineur)

Note 1 à l'article: La lame taille z (rhombohédral mineur) est illustrée à la Figure 1. Le système axial orthogonal

est définie en IEV 561-04-24.
Figure 1 – Lame taille AT et lame taille z (rhombohédral mineur)
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 16 – © IEC 2021
561-04-36
growth band

contrasting density band that can be observed in the Y-cut quartz crystal by the Schlieren or similar optical

method

Note 1 to entry: The cause of this contrast is that elements such as aluminium, sodium, lithium and iron are

trapped in the quartz crystal when it is growing.

Note 2 to entry: Increased amounts of trapped impurities typically cause an increase in infrared absorption

coefficient α at the specific absorption wave numbers.

Note 3 to entry: The growth band cannot be observed when α is less than 0,160 or α is less than 0,120.

3 585 3 500

Note 4 to entry: The growth band is used for the evaluation of synthetic quartz crystal for optical applications.

SOURCE: IEC 60758:2016, 3.35, modified – In the definition and Note 1 to entry, "crystal" has been qualified by

"quartz". In Note 2 to entry, "larger" has been replaced by "increased". Notes 1 and 4 to entry have been redrafted

to be more explicit.
bande de croissance, f

bande de densité de contraste qui peut être observée dans le cristal de quartz taille Y par strioscopie ou une

méthode optique analogue

Note 1 à l'article: Ce contraste est causé par des éléments (tels que l'aluminium, le sodium, le lithium et le fer) qui

sont piégés lors de la croissance d'un cristal de quartz.

Note 2 à l'article: Les impuretés piégées en plus grandes quantités entraînent généralement une augmentation du

coefficient d’absorption dans l’infrarouge α aux nombres d'onde de l'absorption spécifique.

Note 3 à l'article: Les bandes de croissance ne peuvent pas être observées lorsque α est inférieur à 0,160 ou

3 585
que α est inférieur à 0,120.
3 500

Note 4 à l'article: La bande de croissance s'utilise pour l'évaluation d'un cristal de quartz synthétique à usage

optique

SOURCE: IEC 60758:2016, 3.35, modifié – Dans la définition et dans la Note 1 à l'article, "cristal" est devenu

"cristal de quartz". Les Notes 1 et 4 ont été reformulées afin d'être plus explicite.

561-04-37
internal transmittance
transmittance that does not include loss of surface refraction

Note 1 to entry: The internal transmittance is used for the evaluation of synthetic quartz crystal for optical

applications. When stating an internal transmittance, it is necessary to state the sample thickness for which the

value was calculated, e.g. 2 mm.

SOURCE: IEC 60758:2016, 3.33, modified – In the definition, "which" has been corrected to "that". Note 1 to

entry has been redrafted to be more explicit.
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 17 –
facteur de transmission interne, f
facteur de transmission qui n'inclut pas les pertes de réfraction à la surface

Note 1 à l'article: Le facteur de transmission interne s’utilise pour l'évaluation d'un cristal de quartz synthétique à

usage optique. Pour formuler une valeur du facteur de transmission interne, il est nécessaire de spécifier

l’épaisseur de l’échantilllon pour laquelle la valeur est calculée, par example 2 mm.

SOURCE: IEC 60758:2016, 3.33, modifié – La Note 1 à l'article a été reformulée afin d'être plus explicite.

561-04-38
striae, pl
short-range deviations of refractive index in a quartz crystal

Note 1 to entry: The striae are growing-defects that cause streaky refractive index fluctuations of the width of

typically one millimetre to several millimetres.

Note 2 to entry: The striae are used for the evaluation of synthetic quartz crystal for optical applications.

SOURCE: IEC 60758:2016, 3.34, modified – The definition has been redrafted to transfer additional information

to Note 1 to entry. Note 1 to entry has been renumbered as "2" and redrafted to be more explicit

stries, f pl
variations à courte distance de l'indice de réfraction dans le cristal de quartz

Note 1 à l'article: Les stries sont des défauts de croissance où l'indice de réfraction fluctue sous forme de bandes

dont la largeur est généralement un à plusieurs millimètres.

Note 2 à l'article: Les stries s'utilisent pour l'évaluation d'un cristal de quartz synthétique à usage optique.

SOURCE: IEC 60758:2016, 3.34, modifié – La définition a été reformulée afin de transférer des informations

supplémentaires à la Note 1 à l'article. La Note 1 à l'article a été renumérotée en "2" et reformulée afin d'être plus

explicite.
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
– 18 – © IEC 2021
561-07 Materials for Surface Acoustic Wave (SAW) devices
561-07 Matériaux pour les dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS)
561-07-02
back surface roughness

roughness that scatters and suppresses spurious bulk waves at the back surface of a wafer

SOURCE: IEC 62276:2016, 3.6.4, modified — Grammar corrected and "of a wafer" added.

rugosité de la face arrière, f

rugosité qui disperse et supprime les ondes de volume parasites sur la face arrière de la plaquette

SOURCE: IEC 62276, 3.6.4, modifiée — Ajout de ”de la plaquette”.
561-07-03
bevel
slope of the perimeter edge of a wafer
Note 1 to entry: The process of forming a slope is called “bevelling”.

Note 2 to entry: Machining of the perimeter edge of a wafer can be performed through bevelling or edge

rounding. Whereas bevelling produces a flat slope, edge rounding (as the term implies) produces a rounded edge.

Note 3 to entry: Both bevelling and edge rounding, and their tolerances, are subject to agreement between the

user and the supplier.
biseau, m
pente du bord au périmètre d’une plaquette

Note 1 à l’article: Le processus de formation d’une pente est appelé "biseautage".

Note 2 à l’article: L’usinage du bord au périmètre d’une plaquette peut être effectué par biseautage ou par arrondi

de bord. Alors que le biseautage produit un bord plat, l’arrondi de bord produit (comme l’indique le terme) un

bord arrondi.

Note 3 à l’article: Le biseautage, l’arrondi de bord et leurs tolérances font l’objet d’un accord entre l’utilisateur et

le fournisseur.
561-07-04
chip,
region where material has been removed from the surface or edge of the wafer

Note 1 to entry: The size of a chip can be expressed by its maximum radial depth and peripheral chord length.

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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021 – 19 –
ébréchure, f

zone de laquelle de la matière a été retirée de la surface ou du bord de la plaquette

Note 1 à l’article: La taille d’une ébréchure peut être exprimée par sa profondeur radiale maximale et sa longueur

de parcours périphérique.
561-07-07
crack,
fracture that extends to th
...

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