Amendment 4 - International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated materials for frequency control, selection and detection

Amendement 4 - Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) - Partie 561: Dispositifs piézoélectriques, diélectriques et électrostatiques et matériaux associés pour la détection, le choix et la commande de la fréquence

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08-Aug-2021
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PPUB - Publication issued
Start Date
03-Sep-2021
Completion Date
09-Aug-2021
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IEC 60050-561:2014/AMD4:2021 - Amendment 4 - International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated materials for frequency control, selection and detection
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IEC 60050-561 ®
Edition 2.0 2021-08
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
HO RIZONTAL PUBLICATION
PU BLICATION HORIZONTALE
AMENDMENT 4
AMENDEMENT 4
International Electrotechnical Vocabulary (IEV) –
Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated
materials for frequency control, selection and detection

Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) –
Partie 561: Dispositifs piézoélectriques, diélectriques et électrostatiques et
matériaux associés pour la détection, le choix et la commande de la fréquence

IEC 60050-561:2014-11/AMD4:2021-08(en-fr)

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IEC 60050-561 ®
Edition 2.0 2021-08
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
H ORIZONTAL PUBLICATION
P UBLICATION HORIZONTALE
AMENDMENT 4
AMENDEMENT 4
International Electrotechnical Vocabulary (IEV) –

Part 561: Piezoelectric, dielectric and electrostatic devices and associated

materials for frequency control, selection and detection

Vocabulaire Electrotechnique International (IEV) –

Partie 561: Dispositifs piézoélectriques, diélectriques et électrostatiques et

matériaux associés pour la détection, le choix et la commande de la fréquence

INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
ICS 01.040.31; 29.020; 31.140 ISBN 978-2-8322-1010-0

– 2 – IEC 60050-561:2014/AMD4:2021
© IEC 2021
FOREWORD
This amendment specifies changes made to the International Electrotechnical Vocabulary
(www.electropedia.org) which have not been published as a separate standard.
The text of this amendment is based on the following change requests approved by IEC
technical committee 1: Terminology.
Change request Approved
C00067 2021-04-02
C00070 2021-07-02
Full information on the voting for the approval of the change requests constituting this
amendment can be found on the IEV maintenance portal.,

_____________
AVANT-PROPOS
Le présent amendement spécifie les modifications apportées au Vocabulaire Electrotechnique
International (www.electropedia.org) qui n'ont pas été publiées dans des normes
individuelles.
Le texte de cet amendement est issu des demandes de modification suivantes approuvées
par le comité d'études 1 de l’IEC: Terminologie.
Demande de modification Approuvée
C00067 2021-04-02
C00070 2021-07-02
Toute information sur le vote ayant abouti à l'approbation des demandes de modification
constituant cet amendement est disponible sur le portail “IEV maintenance”.

_____________
© IEC 2021
Part 561 / Partie 561
Section 04 Synthetic quartz crystal / Section 04 Cristal de quartz synthétique
Delete IEV 561-04-09, IEV 561-04-11, IEV 561-04-18, IEV 561-04-19, IEV 561-04-21 and
IEV 561-04-22.
Supprimer IEV 561-04-09, IEV 561-04-11, IEV 561-04-18, IEV 561-04-19, IEV 561-04-21 et
IEV 561-04-22.
Replace IEV 561-04-01, IEV 561-04-02, IEV 561-04-03, IEV 561-04-04, IEV 561-04-05,
IEV 561-04-08, IEV 561-04-10, IEV 561-04-13, IEV 561-04-15, IEV 561-04-16, IEV 561-04-17,
IEV 561-04-20, IEV 561-04-23, IEV 561-04-24, IEV 561-04-26, IEV 561-04-28, IEV 561-04-29,
IEV 561-04-31 and IEV 561-04-35 by the following and add IEV 561-04-36, IEV 561-04-37
and IEV 561-04-38.
Remplacer IEV 561-04-01, IEV 561-04-02, IEV 561-04-03, IEV 561-04-04, IEV 561-04-05,
IEV 561-04-08, IEV 561-04-10, IEV 561-04-13, IEV 561-04-15, IEV 561-04-16, IEV 561-04-17,
IEV 561-04-20, IEV 561-04-23, IEV 561-04-24, IEV 561-04-26, IEV 561-04-28, IEV 561-04-29,
IEV 561-04-31 and IEV 561-04-35 par ce qui suit et ajouter IEV 561-04-36, IEV 561-04-37 et
IEV 561-04-38.
Section 07 Materials for Surface Acoustic Wave (SAW) devices /
Section 07 Matériaux pour les dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS)
Delete IEV 561-07-01.
Supprimer IEV 561-07-01.
Replace IEV 561-07-02, IEV 561-07-03, IEV 561-07-04, IEV 561-07-07, IEV 561-07-09,
IEV 561-07-11, IEV 561-07-12, IEV 561-07-13, IEV 561-07-14, IEV 561-07-15, IEV 561-07-16,
IEV 561-07-17, IEV 561-07-18, IEV 561-07-19, IEV 561-07-20, IEV 561-07-21, IEV 561-07-24,
IEV 561-07-25, IEV 561-07-26, IEV 561-07-27, IEV 561-07-29, IEV 561-07-30, IEV 561-07-31,
IEV 561-07-32, IEV 561-07-33, IEV 561-07-34, IEV 561-07-35, IEV 561-07-36, IEV 561-07-37
and IEV 561-07-38 by the following and add IEV 561-07-40.
Remplacer IEV 561-07-02, IEV 561-07-03, IEV 561-07-04, IEV 561-07-07, IEV 561-07-09,
IEV 561-07-11, IEV 561-07-12, IEV 561-07-13, IEV 561-07-14, IEV 561-07-15, IEV 561-07-16,
IEV 561-07-17, IEV 561-07-18, IEV 561-07-19, IEV 561-07-20, IEV 561-07-21, IEV 561-07-24,
IEV 561-07-25, IEV 561-07-26, IEV 561-07-27, IEV 561-07-29, IEV 561-07-30, IEV 561-07-31,
IEV 561-07-32, IEV 561-07-33, IEV 561-07-34, IEV 561-07-35, IEV 561-07-36, IEV 561-07-37
et IEV 561-07-38 par ce qui suit et ajouter IEV 561-07-40.

– 4 – © IEC 2021
561-04 Synthetic quartz crystal
561-04 Cristal de quartz synthétique
561-04-01
AT-cut plate
rotated Y-cut crystal plate oriented at an angle of about +35° around the X-axis or of about –3° from the z (minor
rhombohedral) face
Note 1 to entry: The AT-cut plate is shown in Figure 1. The orthogonal axial system is defined in IEV 561-04-24.
Figure 1 – AT-cut plate and z (minor rhombohedral) cut plate
lame taille AT, f
lame de cristal taille Y orientée selon un angle d’environ +35° par rapport à l’axe X ou d’environ –3° par rapport
à la face z (rhombohédral mineur)
Note 1 à l'article: La lame taille AT est illustrée à la Figure 1. Le système axial orthogonal est définie en IEV 561-
04-24.
Figure 1 – Lame taille AT et lame taille z (rhombohédral mineur)
561-04-02
as-grown Y-bar
bar comprising crystals that are grown by using a long stick seed in the Y-direction

© IEC 2021 – 5 –
barre Y brute, f
barre comprenant des cristaux obtenus à l’aide d'un germe long dans le sens Y
561-04-03
as-grown Z-bar
bar comprising crystals that are grown by using Z-cut seed
barre Z brute, f
barre comprenant des cristaux obtenus à l'aide d'un germe taille Z
561-04-04
as-grown synthetic quartz crystal
synthetic quartz crystal prior to grinding or cutting
cristal de quartz synthétique brut, m
cristal de quartz synthétique avant polissage ou découpage
561-04-05
autoclave
vessel for the high-pressure and high-temperature condition required for the growth of a synthetic quartz crystal
autoclave, m
récipient haute température et haute pression requis pour la croissance d'un cristal de quartz synthétique

– 6 – © IEC 2021
561-04-08
Z
eff
effective Z-dimension
minimum distance in the Z (Θ = 0°) or the Z' direction in the usable Y or Y' area of an as-grown synthetic quartz
crystal
Note 1 to entry: The effective Z-dimension is shown in Figure 1.
Figure 1 – Z of a synthetic quartz crystal grown on a Z-cut seed
eff
dimension Z effective, f
distance minimale dans la direction Z (Θ = 0°) ou la direction Z' dans l'aire utilisable Y ou Y' d'un cristal de
quartz synthétique brut
Note 1 à l'article: La dimension Z effective est illustrée à la Figure 1.
Figure 1 – Z d'un cristal de quartz synthétique cultivé sur un germe taille Z
eff
561-04-10
etch channel
roughly cylindrical void that is present along the dislocation line after etching a quartz crystal
canal électrolytique, m
vide à peu près cylindrique le long de la ligne de dislocation suite au gravage d’un cristal de quartz

© IEC 2021 – 7 –
561-04-13
hydrothermal crystal growth
crystal growth in the presence of water, elevated temperatures and elevated pressures by a crystal growth process
believed to proceed geologically within the Earth's crust
Note 1 to entry: The industrial synthetic quartz crystal growth processes utilize alkaline water solutions confined
within autoclaves at a supercritical state with temperatures of 330 °C to 400 °C and pressures of 71 MPa to
203 MPa.
Note 2 to entry: The autoclave is divided into two chambers: the dissolving chamber, containing raw quartz chips
at the higher temperature; the growing chamber, containing cut seeds at the lower temperature.
croissance hydrothermale du cristal, f
croissance du cristal en présence d’eau, de températures et de pressions élevées par un procédé de croissance du
cristal supposée géologique dans la croûte terrestre
Note 1 à l’article: Les procédés de croissance du cristal de quartz synthétique industriel utilisent des solutions
aqueuses alcalines confinées dans des autoclaves à un état supercritique avec des températures de 330 °C à
400 °C et des pressions de 71 MPa à 203 MPa.
Note 2 à l'article: L’autoclave est divisé en deux chambres: la chambre de dissolution, contenant des éclats de
quartz bruts à la température la plus élevée, et la chambre de croissance, contenant des germes à la température la
plus basse.
561-04-15
inclusion
foreign material within a synthetic quartz crystal, detectable by examination of scattered light
Note 1 to entry: Particularly common inclusions are the minerals called acmite and emeleusite.
Note 2 to entry: This entry was numbered 561-05-06 in IEC 60050-561:1991.
inclusion, f
corps étranger localisé à l’intérieur d’un cristal de quartz synthétique, détectable par examen de la lumière diffuse
Note 1 à l’article: Des inclusions particulièrement courantes sont les minéraux appelés acmite et emeleusite.
Note 2 à l'article: Cet article était numéroté 561-05-06 dans l'IE
...

Questions, Comments and Discussion

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