IEC 60747-6:2016

Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors

IEC 60747-6:2016 provides standards for the following types of discrete semiconductor devices:
- reverse-blocking triode thyristors;
- reverse-conducting (triode) thyristors;
- bidirectional triodethyristors (triacs);
- turn-off thyristors.
This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
a) Clauses 3, 4, 5, 6, and 7 were amended with some deletions of information no longer in use or already included in other parts of the IEC 60747 series, and with some necessary additions;
b) some parts of Clause 8 and Clause 9 were moved and added to Clause 7 of this third edition;
c) Clause 8 and 9 were deleted in this third edition;
d) Annex A was deleted.
This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006.

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 6: Dispositifs discrets - Thyristors

L'IEC 60747-6:2016 donne les normes pour les types suivants de dispositifs discrets à semiconducteurs:
- les thyristors triodes bloqués en inverse;
- les thyristors (triodes) passants en inverse;
- les thyristors triodes bidirectionnels (triacs);
- les thyristors blocables.
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente:
a) Les Articles 3, 4, 5, 6 et 7 ont été modifiés en procédant d'une part à des suppressions d'informations ne faisant plus l'objet d'une application ou figurant déjà dans d'autres parties de la série IEC 60747, et d'autre part à des ajouts nécessaires.
b) Certaines parties de l'Article 8 et de l'Article 9 ont été déplacées et ajoutées à l'Article 7 dans cette troisième édition.
c) L'Article 8 et l'Article 9 ont été supprimés dans cette troisième édition.
d) L'Annexe A a été supprimée.
Cette publication doit être lue conjointement avec la IEC 60747-1:2006.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 12-Apr-2016
• ICS: 01 - GENERALITIES. TERMINOLOGY. STANDARDIZATION. DOCUMENTATION
• ICS: 31.080.20 - Thyristors
• Technical Committee: SC 47E - Discrete semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 3 - TC 47/SC 47E/WG 3
• Current Stage: PPUB - Publication issued
• Start Date: 15-Apr-2016
• Completion Date: 13-Apr-2016

Relations

• Revises: IEC 60747-6:2000 - Semiconductor devices - Part 6: Thyristors
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

IEC 60747-6 ®
Edition 3.0 2016-04
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Semiconductor devices –
Part 6: Discrete devices – Thyristors

Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 6: Dispositifs discrets – Thyristors

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IEC 60747-6 ®
Edition 3.0 2016-04
INTERNATIONAL
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Semiconductor devices –
Part 6: Discrete devices – Thyristors

Dispositifs à semiconducteurs –

Partie 6: Dispositifs discrets – Thyristors

INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
ICS 31.080.20 ISBN 978-2-8322-3296-5

– 2 – IEC 60747-6:2016 © IEC 2016
CONTENTS
FOREWORD . 7
1 Scope . 9
2 Normative references. 9
3 Terms and definitions . 9
3.1 General . 9
3.2 Terms and definitions related to ratings and characteristics: currents . 10
3.3 Terms and definitions related to ratings and characteristics: gate voltages
and currents . 11
3.4 Terms and definitions related to ratings and characteristics: power and
energy dissipation . 12
3.4.1 General . 12
3.4.2 Instantaneous power during a cycle . 12
3.4.3 Mean power dissipation . 14
3.4.4 Energy dissipation . 15
3.5 Terms and definitions related to ratings and characteristics: recovery times
and other characteristics . 16
3.5.1 On-state . 16
3.5.2 Recovery times . 16
3.5.3 Times and rates of rise characterizing gate-controlled turn-on . 18
3.5.4 Times and rates of rise characterizing gate-controlled turn-off . 19
3.5.5 Recovered charges . 22
3.6 Mechanical ratings . 22
4 Letter symbols . 23
4.1 General . 23
4.2 Additional general subscripts . 23
4.3 List of letter symbols . 23
5 Ratings and characteristics for thyristors . 26
5.1 Ratings (limiting values) . 26
5.1.1 Storage temperatures (T ) . 26
stg
5.1.2 Junction temperature (T , T ) . 26
vj(min) vjm
5.1.3 Operating ambient or case temperature (T or T ) . 26
a c
5.1.4 Total power dissipation (P or P ) . 26
tot C
5.1.5 Gate power dissipation . 26
5.1.6 Frequency ratings . 26
5.1.7 Special requirements for mounting . 26
5.1.8 Principle anode-cathode voltages . 27
5.1.9 Gate voltages . 27
5.1.10 Principal anode cathode currents . 28
5.1.11 Peak forward gate current (I ) . 35
FGM
5.2 Characteristics . 35
5.2.1 General . 35
5.2.2 Reverse current (I ) . 35
R
5.2.3 Reverse conducting voltage (V ) (for reverse conducting thyristors) . 35
RC
5.2.4 Continuous (direct) off-state current (I ) . 35
D
5.2.5 On-state voltage (V ) . 35
T
5.2.6 On-state characteristics (where appropriate) . 35

5.2.7 Peak sinusoidal on-state voltage (V ) . 36
TM
5.2.8 Threshold voltage (V / V ) . 36
T(TO) TO
5.2.9 On-state slope resistance (r ) . 36
T
5.2.10 Holding current (I ) . 36
H
5.2.11 Latching current (I ) . 36
L
5.2.12 Repetitive peak off-state current (I ) . 36
DRM
5.2.13 Repetitive peak reverse current (I ) . 36
RRM
5.2.14 Gate-trigger current (I ) and gate-trigger voltage (V ) . 37
GT GT
5.2.15 Gate non-trigger current (I ) and gate non-trigger voltage (V ) . 37
GD GD
5.2.16 Sustaining gate current (I ) for GTO only . 38
FGsus
5.2.17 Peak gate turn-off current (I ) for GTO only . 38
RGQM
5.2.18 Peak tail current (I ) for GTO only . 38
ZM
5.2.19 Characteristic time intervals . 39
5.2.20 Total power dissipation . 41
5.2.21 Turn-on energy dissipation (E ) for GTO preferably . 42
ON
5.2.22 On-state energy dissipation (E ) for GTO preferably . 42
T
5.2.23 Turn-off energy dissipation (E ) for GTO preferably . 43
Q
5.2.24 Recovered charge (Q ) (where appropriate) . 43
r
5.2.25 Peak reverse recovery current (I )(where appropriate) . 43
rrm
5.2.26 Reverse recovery time (t ) (where appropriate) . 43
rr
5.2.27 Thermal resistance junction to ambient (R ) . 43
th(j-a)
5.2.28 Thermal resistance junction to case (R ) . 43
th(j-c)
5.2.29 Thermal resistance case to heat sink (R ) . 43
th(c-s)
5.2.30 Thermal resistance junction to heat sink (R ) . 44
th(j-s)
5.2.31 Transient thermal impedance junction to ambient (Z ) . 44
th(j-a)
5.2.32 Transient thermal impedance junction to case (Z ) . 44
th(j-c)
5.2.33 Transient thermal impedance junction to heat sink (Z ) . 44
th(j-s)
6 Measuring and test methods .
...