IEC 61967-2:2005

Integrated circuits - Measurement of electromagnetic emissions, 150 kHz to 1 GHz - Part 2: Measurement of radiated emissions - TEM cell and wideband TEM cell method

This test procedure defines a method for measuring the electromagnetic radiation from an integrated circuit (IC). The IC being evaluated is mounted on an IC test printed circuit board (PCB) that is clamped to a mating port (referred to as a wall port) cut in the top or bottom of a transverse electromagnetic (TEM) or wideband gigahertz TEM (GTEM) cell. The test board is not inside the cell, as in the conventional usage, but becomes a part of the cell wall. This method is applicable to any TEM or GTEM cell modified to incorporate the wall port; however, the measured radio frequency (RF) voltage will be affected by many factors. The primary factor affecting the measured RF voltage is the septum to IC test board (cell wall) spacing. This procedure was developed using a 1 GHz TEM cell with a septum to floor spacing of 45 mm and a GTEM cell with average septum to floor spacing of 45 mm over the port area. Other cells may not produce identical spectral output but may be used for comparative measurements, subject to their frequency and sensitivity limitations. A conversion factor may allow comparisons between data measured on TEM or GTEM cells with different septum to floor spacing. The IC test board controls the geometry and orientation of the operating IC relative to the cell and eliminates any connecting leads within the cell (these are on the backside of the board, which is outside the cell). For the TEM cell, one of the 50 ports is terminated with a 50 load. The other 50 port for a TEM cell, or the single 50 port for a GTEM cell, is connected to the input of a spectrum analyser or receiver that measures the RF emissions emanating from the integrated circuit and impressed onto the septum of the cell.

Circuits intégrés - Mesure des émissions électromagnétiques, 150 kHz à 1 GHz - Partie 2: Mesure des émissions rayonnées - Méthode de cellule TEM et cellule TEM à large bande

La présente procédure de mesure définit une méthode de mesure du rayonnement électromagnétique provenant d'un circuit intégré (CI). Le CI évalué est monté sur une carte de circuit imprimé (PCB) d'essai de CI qui est fixée sur un accès d'accouplement (désigné comme "accès à la paroi") découpé au sommet ou au fond d'une cellule électromagnétique transverse (TEM, transverse electromagnetic) ou d'une cellule TEM en gigahertz (GTEM) à large bande. La carte d'essai n'est pas à l'intérieur de la cellule, comme dans l'usage conventionnel, mais devient une partie de la paroi de la cellule. Cette méthode est applicable à toute cellule TEM ou GTEM modifiée pour incorporer l'accès à la paroi; cependant, la tension RF mesurée sera affectée par de nombreux facteurs. Le facteur principal affectant la tension RF mesurée est l'espacement entre le diaphragme et la carte d'essai du CI (paroi de la cellule). Cette procédure a été élaborée à l'aide d'une cellule TEM de 1 GHz avec un espacement entre le diaphragme et le sol de 45 mm et d'une cellule GTEM avec un espacement moyen entre le diaphragme et le sol de 45 mm au-dessus de la zone de l'accès. D'autres cellules peuvent ne pas produire de sortie spectrale identique, mais peuvent être utilisées pour des mesures comparatives, soumises à leurs limites en fréquence et en sensibilité. Un facteur de conversion peut permettre des comparaisons entre les données mesurées sur les cellules TEM ou GTEM avec un espacement différent entre le diaphragme et le sol. La carte d'essai du CI contrôle la géométrie et l'orientation du CI en fonctionnement par rapport à la cellule et élimine tous les conducteurs de connexion à l'intérieur de la cellule (ceux-ci se situent sur la face arrière de la carte, qui est à l'extérieur de la cellule). Pour la cellule TEM, l'un des accès de 50 est terminé par une charge de 50 . L'autre accès de 50 pour une cellule TEM, ou le seul accès de 50 pour une cellule GTEM, est connecté à l'entrée d'un analyseur de spectre ou d'un récepteur qui mesure les émissions RF provenant du circuit intégré et appliquées sur le diaphragme de la cellule.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 28-Sep-2005
• ICS: 01 - GENERALITIES. TERMINOLOGY. STANDARDIZATION. DOCUMENTATION
• ICS: 31.080.99 - Other semiconductor devices
• Technical Committee: SC 47A - Integrated circuits
• Drafting Committee: WG 9 - TC 47/SC 47A/WG 9
• Current Stage: PPUB - Publication issued
• Start Date: 15-Nov-2005
• Completion Date: 29-Sep-2005

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
61967-2
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2005-09
Circuits intégrés –
Mesure des émissions électromagnétiques,
150 kHz à 1 GHz –
Partie 2:
Mesure des émissions rayonnées –
Méthode de cellule TEM et cellule
TEM à large bande
Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic emissions,
150 kHz to 1 GHz –
Part 2:
Measurement of radiated emissions –
TEM cell and wideband TEM cell method
Numéro de référence
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CEI/IEC 61967-2:2005
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Première édition
STANDARD
First edition
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Circuits intégrés –
Mesure des émissions électromagnétiques,
150 kHz à 1 GHz –
Partie 2:
Mesure des émissions rayonnées –
Méthode de cellule TEM et cellule
TEM à large bande
Integrated circuits –
Measurement of electromagnetic emissions,
150 kHz to 1 GHz –
Part 2:
Measurement of radiated emissions –
TEM cell and wideband TEM cell method

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– 2 – 61967-2  CEI:2005
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS.6

1 Domaine d'application .10
2 Références normatives.10
3 Termes et définitions .12
4 Généralités.12
5 Conditions d'essai .12
5.1 Généralités.12
5.2 Tension d'alimentation.12
5.3 Gamme de fréquences .12
6 Equipement d’essai .12
6.1 Généralités.12
6.2 Blindage.12
6.3 Appareil de mesure RF.12
6.4 Préamplificateur .14
6.5 Cellule TEM .14
6.6 Cellule TEM/GTEM à large bande .14
6.7 Terminaison de 50 Ω .14
6.8 Gain du système .14
7 Montage d’essai .14
7.1 Généralités.14
7.2 Configuration d'essai.14
7.3 PCB d’essai .16
8 Procédure d’essai.22
8.1 Généralités.22
8.2 Conditions ambiantes .22
8.3 Vérification opérationnelle du DEE .22
8.4 Mesure des émissions du DEE .22
9 Rapport d'essai .24
9.1 Généralités.24
9.2 Conditions de mesure.24
10 Niveaux de référence des émissions du CI .24

Annexe A (informative) Exemple de formulaire de vérification de l’étalonnage et du
montage .26
Annexe B (informative) Descriptions de la cellule TEM et de la cellule TEM à large bande .28
B.1 Cellule TEM.28
B.2 Cellule TEM à large bande.28
Annexe C (informative) Calcul du moment de dipôle à partir des données mesurées .30
C.1 Généralités .30
C.2 Calcul du moment de dipôle.30

61967-2  IEC:2005 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD.7

1 Scope.11
2 Normative references .11
3 Terms and definitions .13
4 General .13
5 Test conditions .13
5.1 General .13
5.2 Supply voltage.13
5.3 Frequency range .13
6 Test equipment.13
6.1 General .13
6.2 Shielding .13
6.3 RF measuring instrument .13
6.4 Preamplifier.15
6.5 TEM cell.15
6.6 Wideband TEM/GTEM cell.15
6.7 50-Ohm termination.15
6.8 System gain .15
7 Test set-up .15
7.1 General .15
7.2 Test configuration.15
7.3 Test PCB.17
8 Test procedure .23
8.1 General .23
8.2 Ambient measurement.23
8.3 DUT operational check .23
8.4 DUT emissions measurement .23
9 Test report.25
9.1 General .25
9.2 Measurement conditions.25
10 IC emissions reference levels.25

Annex A (informative) Example
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