IEC 62047-8:2011

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films

IEC 62047-8:2011 specifies the strip bending test method to measure tensile properties of thin films with high accuracy, repeatability, moderate effort of alignment and handling compared to the conventional tensile test. This testing method is valid for test pieces with a thickness between 50 nm and several mum, and with an aspect ratio (ratio of length to thickness) of more than 300. The hanging strip (or bridge) between two fixed supports are widely adopted in MEMS or micro-machines. It is much easier to fabricate these strips than the conventional tensile test pieces. The test procedures are so simple to be readily automated. This international standard can be utilized as a quality control test for MEMS production since its testing throughput is very high compared to the conventional tensile test.

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 8: Méthode d'essai de la flexion de bandes en vue de la mesure des propriétés de traction des couches minces

La CEI 62047-8:2011 spécifie la méthode d'essai de flexion de bandes, afin de mesurer les propriétés de traction des couches minces avec une haute précision, répétabilité, un effort modéré d'alignement et de manipulation en comparaison de l'essai de traction conventionnel. La méthode d'essai est valable pour les éprouvettes d'essai dont l'épaisseur est comprise entre 50 nm et plusieurs mum, et dont le rapport, (soit le rapport de la longueur de l'éprouvette à son épaisseur) est supérieur 300. La bande suspendue (ou le pont) entre deux supports fixés est largement adoptée dans les MEMS ou dans les micromachines. Ces bandes sont bien plus faciles à fabriquer que les éprouvettes d'essai à la traction conventionnelles. Les procédures d'essai sont si simples qu'elles sont aisément automatisées. La présente norme internationale peut être utilisée en tant qu'essai de contrôle de la qualité pour la production des MEMS étant donné que son débit d'essai est très élevé comparé à l'essai de traction conventionnel.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 13-Mar-2011
• ICS: 01 - GENERALITIES. TERMINOLOGY. STANDARDIZATION. DOCUMENTATION
• ICS: 31.080.99 - Other semiconductor devices
• Technical Committee: SC 47F - Micro-electromechanical systems
• Drafting Committee: WG 1 - TC 47/SC 47F/WG 1
• Current Stage: PPUB - Publication issued
• Start Date: 15-Apr-2011
• Completion Date: 14-Mar-2011

Standards Content (Sample)

IEC 62047-8
®

Edition 1.0 2011-03
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
colour
inside


Semiconductor devices – Micro-electromechanical devices –
Part 8: Strip bending test method for tensile property measurement of thin films

Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs microélectromécaniques –
Partie 8: Méthode d’essai de la flexion de bandes en vue de la mesure des
propriétés de traction des couches minces

IEC 62047-8:2011

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