Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices

IEC 60749-44:2016 establishes a procedure for measuring the single event effects (SEEs) on high density integrated circuit semiconductor devices including data retention capability of semiconductor devices with memory when subjected to atmospheric neutron radiation produced by cosmic rays. The single event effects sensitivity is measured while the device is irradiated in a neutron beam of known flux. This test method can be applied to any type of integrated circuit. NOTE 1 - Semiconductor devices under high voltage stress can be subject to single event effects including SEB, single event burnout and SEGR single event gate rupture, for this subject which is not covered in this document, please refer to IEC 62396-4. NOTE 2 - In addition to the high energy neutrons some devices can have a soft error rate due to low energy (<1 eV) thermal neutrons. For this subject which is not covered in this document, please refer to IEC 62396-5.

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 44: Prüfverfahren zur Einzelereignis-Effekt-Neutronenbestrahlung von Halbleiterbauelementen

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 44: Méthode d'essai des effets d'un événement isolé (SEE) irradié par un faisceau de neutrons pour des dispositifs à semiconducteurs

L'IEC 60749-44:2016 établit une procédure pour mesurer les effets d'un événement isolé (SEE: Single Event Effect) sur des dispositifs à semiconducteurs pour circuits intégrés haute densité incluant l'aptitude des dispositifs à semiconducteurs à mémoire à conserver les données lorsqu'ils sont soumis à un rayonnement neutronique atmosphérique produit par des rayons cosmiques. La sensibilité des effets d'un événement isolé est mesurée pendant que le dispositif est irradié par un faisceau de neutrons dont le flux est connu. Cette méthode d'essai peut être appliquée à n'importe quel type de circuit intégré. NOTE 1 - Les dispositifs à semiconducteurs soumis à des contraintes de tension élevée peuvent être sujets aux effets d'un événement isolé, y compris un événement isolé de claquage (SEB: Single Event Burnout) et un événement isolé de claquage de grille (SEGR: Single Event Gate Rupture). Se reporter à l'IEC 62396-4 pour plus d'informations sur ce phénomène qui n'est pas couvert par le présent document. NOTE 2 - Outre les neutrons d'énergie élevée, certains dispositifs peuvent avoir un taux d'erreurs logicielles en raison des neutrons thermiques de faible énergie (<1 eV). Se reporter à l'IEC 62396-5 pour plus d'informations sur ce phénomène qui n'est pas couvert par le présent document.

Polprevodniški elementi - Metode za mehansko in klimatsko preskušanje - 44. del: Metoda za preskušanje učinka enkratnega dogodka z obsevanjem z nevtronskim snopom (IEC 60749-44:2016)

Ta del standarda IEC 60749 vzpostavlja postopek za merjenje učinkov enkratnih dogodkov (SEE) na goste polprevodniške elemente na integriranih vezjih, vključno z zmožnostjo hranjenja podatkov polprevodniških elementov s pomnilnikom, ko so izpostavljeni atmosferskemu obsevanju z nevtroni, ki ga povzročajo kozmični žarki. Občutljivost na enkratne dogodke se meri, ko se element obseva z nevtronskim žarkom z znanim pretokom. To preskusno metodo je mogoče uporabiti za katerokoli vrsto integriranega vezja.
OPOMBA 1: polprevodniški elementi pod visokonapetostnimi obremenitvami so lahko izpostavljeni enkratnim dogodkom, vključno z enkratno pregoritvijo (SEB) in enkratnim zlomom vrat (SEGR). Za to tematiko, ki ni obravnavana v tem dokumentu, glejte standard IEC 62396-4 [2].
OPOMBA 2: na pogostnost napak pri nekaterih elementih lahko poleg visokoenergijskih nevtronov vplivajo tudi nizkoenergijski (<1 eV) termalni nevtroni. Za to tematiko, ki ni obravnavana v tem dokumentu, glejte standard IEC 62396-5 [3].

General Information

Status
Published
Publication Date
20-Oct-2016
Withdrawal Date
24-Aug-2019
Drafting Committee
Current Stage
6060 - Document made available - Publishing
Start Date
21-Oct-2016
Completion Date
21-Oct-2016

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EN 60749-44:2017 - BARVE
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Standards Content (Sample)

SLOVENSKI STANDARD
SIST EN 60749-44:2017
01-januar-2017
3ROSUHYRGQLãNLHOHPHQWL0HWRGH]DPHKDQVNRLQNOLPDWVNRSUHVNXãDQMHGHO
0HWRGD]DSUHVNXãDQMHXþLQNDHQNUDWQHJDGRJRGND]REVHYDQMHP]QHYWURQVNLP
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Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 44: Neutron beam
irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices (IEC 60749-
44:2016)
Ta slovenski standard je istoveten z: EN 60749-44:2016
ICS:
31.080.01 Polprevodniški elementi Semiconductor devices in
(naprave) na splošno general
SIST EN 60749-44:2017 en
2003-01.Slovenski inštitut za standardizacijo. Razmnoževanje celote ali delov tega standarda ni dovoljeno.

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SIST EN 60749-44:2017

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SIST EN 60749-44:2017


EUROPEAN STANDARD EN 60749-44

NORME EUROPÉENNE

EUROPÄISCHE NORM
October 2016
ICS 31.080.01

English Version
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods -
Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test
method for semiconductor devices
(IEC 60749-44:2016)
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische
mécaniques et climatiques - Partie 44: Méthode d'essai des Prüfverfahren - Teil 44: Prüfverfahren zur Einzelereignis-
effets d'un événement isolé (SEE) irradié par un faisceau Effekt-Neutronenbestrahlung von Halbleiterbauelementen
de neutrons pour des dispositifs à semiconducteurs (IEC 60749-44:2016)
(IEC 60749-44:2016)
This European Standard was approved by CENELEC on 2016-08-25. CENELEC members are bound to comply with the CEN/CENELEC
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Up-to-date lists and bibliographical references concerning such national standards may be obtained on application to the CEN-CENELEC
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This European Standard exists in three official versions (English, French, German). A version in any other language made by translation
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© 2016 CENELEC All rights of exploitation in any form and by any means reserved worldwide for CENELEC Members.
 Ref. No. EN 60749-44:2016 E

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SIST EN 60749-44:2017
EN 60749-44:2016
European foreword
The text of document 47/2303/FDIS, future edition 1 of IEC 60749-44, prepared by
IEC/TC 47 "Semiconductor devices" was submitted to the IEC-CENELEC parallel vote and approved
by CENELEC as EN 60749-44:2016.

The following dates are fixed:
(dop) 2017-05-25
• latest date by which the document has to be
implemented at national level by
publication of an identical national
standard or by endorsement
• latest date by which the national (dow) 2019-08-25
standards conflicting with the
document have to be withdrawn

Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this document may be the subject of
patent rights. CENELEC [and/or CEN] shall not be held responsible for identifying any or all such
patent rights.

Endorsement notice
The text of the International Standard EC 60749-44:2016 was approved by CENELEC as a European
Standard without any modification.
In the official version, for Bibliography, the following note has to be added for the standard indicated :

IEC 60749-38 NOTE Harmonized as EN 60749-38.
2

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SIST EN 60749-44:2017




IEC 60749-44

®


Edition 1.0 2016-07




INTERNATIONAL



STANDARD




NORME



INTERNATIONALE
colour

inside










Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods –

Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for

semiconductor devices




Dispositifs à semiconducteurs – Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –

Partie 44: Méthode d'essai des effets d'un événement isolé (SEE) irradié par un


faisceau de neutrons pour des dispositifs à semiconducteurs




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