IEC 62276:2025
(Main)Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods
IEC 62276:2025 applies to the manufacture of synthetic quartz, lithium niobate (LN), lithium tantalate (LT), lithium tetraborate (LBO), and lanthanum gallium silicate (LGS) single crystal wafers intended for use as substrates in the manufacture of surface acoustic wave (SAW) filters and resonators.
This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
a) The terms and definitions, the technical requirements, sampling frequency, test methods and measurement of transmittance, lightness, colour difference for LN and LT have been added in order to meet the needs of industry development;
b) The term “inclusion” (mentioned in 4.13 and 6.10) and its definition have been added because there was no definition for it in Clause 3;
c) The specification of LTV and PLTV, and the corresponding description of sampling frequency for LN and LT have been added, because they are the key performance parameters for the wafers;
d) The tolerance of Curie temperature specification for LN and LT have been added in order to meet the development requirements of the industry;
e) Measurement of thickness, TV5, TTV, LTV and PLTV have been completed, including measurement principle and method of thickness, TV5, TTV, LTV and PLTV.
Tranches monocristallines pour applications utilisant des dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS) - Spécifications et méthodes de mesure
L'IEC 62276:2025 s’applique à la fabrication de tranches monocristallines de quartz synthétique, de niobate de lithium (LN), de tantalate de lithium (LT), de tétraborate de lithium (LBO) et de silicate de gallium et de lanthane (LGS), destinées à être utilisées comme substrats dans la fabrication de résonateurs et de filtres à ondes acoustiques de surface (OAS).
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l’édition précédente:
a) les termes et définitions, les exigences techniques, la fréquence d’échantillonnage, les méthodes d'essai et la mesure de la transmission, de la clarté et de la différence de couleur pour le LN et le LT ont été ajoutés, afin de satisfaire aux besoins de développement industriel;
b) le terme « inclusion » mentionné en 4.13 et 6.10 et sa définition ont été ajoutés à l'Article 3, dans la mesure où ils n'était pas suffisamment défini;
c) la spécification de la LTV et du PLTV, et la description correspondante de la fréquence d'échantillonnage pour le LN et le LT ont été ajoutées, dans la mesure où elles correspondent aux paramètres de performances clés pour les tranches;
d) la tolérance de la spécification relative à la température de Curie pour le LN et le LT a été ajoutée afin de satisfaire aux exigences de développement de l'industrie;
e) la mesure de l'épaisseur, de la TV5, de la TTV, de la LTV et du PLTV a été réalisée, y compris le principe et la méthode de mesure de l'épaisseur, de la TV5, de la TTV, de la LTV et du PLTV.
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
IEC 62276 ®
Edition 4.0 2025-03
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications –
Specifications and measuring methods
Tranches monocristallines pour applications utilisant des dispositifs à ondes
acoustiques de surface (OAS) – Spécifications et méthodes de mesure
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STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications –
Specifications and measuring methods
Tranches monocristallines pour applications utilisant des dispositifs à ondes
acoustiques de surface (OAS) – Spécifications et méthodes de mesure
INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
ICS 31.140 ISBN 978-2-8327-0246-8
– 2 – IEC 62276:2025 © IEC 2025
CONTENTS
FOREWORD . 5
1 Scope . 7
2 Normative references. 7
3 Terms and definitions . 7
3.1 Flatness . 7
3.2 Appearance defects . 11
3.3 Other terms and definitions . 11
3.4 Terms and definitions related to LN and LT wafers . 12
4 Requirements . 13
4.1 General . 13
4.2 Diameters and tolerances . 13
4.3 Thickness and tolerance . 14
4.4 Orientation flat . 14
4.5 Secondary flat . 14
4.6 Front (propagation) surface roughness . 14
4.7 Back surface roughness . 14
4.8 Warp . 14
4.9 TV5 and TTV . 14
4.10 LTV and PLTV . 15
4.11 Front surface defects . 16
4.12 Tolerance of surface orientation . 16
4.13 Inclusions . 16
4.14 Position of seed in synthetic quartz wafer . 16
4.15 Electrical twins in synthetic quartz wafer . 16
4.16 Bevel . 16
4.17 Bulk resistivity (conductivity) for reduced LN and reduced LT . 16
4.18 Transmittance . 16
4.19 Lightness . 17
4.20 Colour difference . 17
5 Sampling plan . 17
5.1 General . 17
5.2 Sampling. 17
6 Test methods . 18
6.1 Diameter . 18
6.2 Thickness . 18
6.3 Existence and position of OF and SF . 18
6.4 Dimensions of OF and SF . 18
6.5 Orientation of OF and SF . 18
6.6 TV5 . 18
6.7 Warp . 18
6.8 TTV, LTV and PLTV . 18
6.9 Front surface defects . 18
6.10 Inclusions . 18
6.11 Position of seed in synthetic quartz wafer . 18
6.12 Electrical twins in synthetic quartz wafer . 19
6.13 Bevel . 19
6.14 Front surface and back surface roughness . 19
6.15 Orientation . 19
6.16 Bulk resistivity . 19
6.17 Transmittance . 19
6.18 Lightness . 19
6.19 Colour difference . 19
7 Identification, labelling, packaging, delivery condition . 19
7.1 Packaging . 19
7.2 Labelling and identification . 20
7.3 Delivery condition . 20
8 Measurements of orientation by X-ray . 20
8.1 Measurement principle . 20
8.2 Measurement method . 21
8.3 Measuring surface orientation . 21
8.4 Measuring OF flat orientation . 21
8.5 Typical wafer orientations and reference planes . 21
9 Measurement of bulk resistivity . 22
9.1 Resistance measurement . 22
9.2 Electrode . 23
9.3 Bulk resistivity . 23
10 Visual inspections – Front surface defects and inclusions inspection method . 24
11 Measurement of thickness and thickness variation. 25
11.1 Measurement principle . 25
11.1.1 Contact measurement . 25
11.1.2 Contactless measurement .
...
Questions, Comments and Discussion
Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.