IEC 60749-18:2002

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose)

Provides a test procedure for defining requirements for testing packaged semiconductor integrated circuits and discrete semiconductor devices for ionizing radiation (total dose) effects from a cobalt-60 gamma ray source. Proposes an accelerated annealing test for estimating low dose rate ionizing radiation effects on devices. This annealing test is important for low dose rate or certain other applications in which devices may exhibit significant time-dependent effects. It is intended for military- and space-related applications.

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 18: Rayonnements ionisants (dose totale)

Présente une procédure d'essai permettant de définir les exigences des essais des circuits intégrés sous boîtier et des dispositifs discrets à semiconducteurs concernant les effets des rayonnements ionisants (dose totale) provenant d'une source de rayons gamma au cobalt-60. Propose un essai de recuit accéléré pour l'estimation des effets des rayonnements ionisants à faible débit de dose sur les dispositifs. Cet essai de recuit est important pour les faibles débits de dose ou certaines autres applications dans lesquelles les dispositifs peuvent présenter des effets liés au temps significatifs. Cet essai est destiné aux applications des domaines militaire et spatial.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 12-Dec-2002
• ICS: 31.080.01 - Semiconductor devices in general
• Technical Committee: TC 47 - Semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 2 - TC 47/WG 2
• Current Stage: DELPUB - Deleted Publication
• Start Date: 31-May-2018
• Completion Date: 10-Apr-2019

Relations

• Revised: IEC 60749-18:2019 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose)
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-18
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2002-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 18:
Rayonnements ionisants (dose totale)
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 18:
Ionizing radiation (total dose)

Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60749-18:2002
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INTERNATIONALE IEC
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INTERNATIONAL
Première édition
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First edition
2002-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 18:
Rayonnements ionisants (dose totale)
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 18:
Ionizing radiation (total dose)

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– 2 – 60749-18  CEI:2002
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS . 4

1 Domaine d’application. 6

2 Termes et définitions . 6

3 Appareillage d’essai. 8

3.1 Source de rayonnements . 8

3.2 Système dosimétrique . 8

3.3 Appareils de mesure pour essais électriques . 8
3.4 Carte(s) de circuit d’essai . 8
3.5 Câblage.10
3.6 Interconnexion ou système de commutation.10
3.7 Enceinte environnementale.10
4 Procédure.10
4.1 Choix et manipulation de l’échantillon.10
4.2 Vieillissement artificiel à chaud.12
4.3 Mesures dosimétriques.12
4.4 Conteneur en plomb/aluminium (Pb/Al).12
4.5 Niveau(x) de rayonnements .12
4.6 Débit de dose de rayonnements.14
4.6.1 Condition A.14
4.6.2Condition B.14
4.6.3 Condition C.14
4.7 Exigences de température .14
4.8 Mesures des performances électriques.14
4.9 Conditions d'essai .16
4.9.1 Essai en flux .16
4.9.2 Essais à distance.16
4.9.3 Conditions de polarisation et de charge .16
4.10 Procédure après irradiation.16
4.11 Essai de recuit étendu à température ambiante .18
4.11.1 Besoin de réaliser un essai de recuit étendu à température ambiante .18
4.11.2 Procédure d’essai de recuit étendu à température ambiante .18

4.12 Essai de recuit accéléré MOS.20
4.12.1 Besoin de réalisation d’un essai de recuit accéléré .20
4.12.2 Procédure pour l’essai de recuit accéléré.22
4.13 Rapport d'essai.22
5 Résumé .24

60749-18  IEC:2002 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD . 5

1 Scope . 7

2 Terms and definitions . 7

3 Test apparatus.9

3.1 Radiation source. 9

3.2 Dosimetry system . 9

3.3 Electrical test instruments. 9
3.4 Test circuit board(s). 9
3.5 Cabling.11
3.6 Interconnect or switching system .11
3.7 Environmental chamber .11
4 Procedure.11
4.1 Sample selection and handling .11
4.2 Burn-in .13
4.3 Dosimetry measurements .13
4.4 Lead/aluminium (Pb/Al) container .13
4.5 Radiation level(s).13
4.6 Radiation dose rate .15
4.6.1 Condition A.15
4.6.2 Condition B.15
4.6.3 Condition C.15
4.7 Temperature requirements.15
4.8 Electrical performance measurements .15
4.9 Test conditions .17
4.9.1 In-flux testing.17
4.9.2 Remote testing.17
4.9.3 Bias and loading conditions .17
4.10 Post-irradiation procedure .17
4.11 Extended room temperature anneal test .19
4.11.1 Need to perform an extended room temperature anneal test .19
4.11.2 Extended room temperature anneal test procedure .19

4.12 MOS accelerated annealing test .21
4.12.1 Need to perform accelerated annealing test .21
4.12.2 Accelerated annealing test procedure .23
4.13 Test report.23
5 Summary .25

– 4 – 60749-18  CEI:2002
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE

____________
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –

MÉTHODES D’ESSAIS MÉCANIQUES ET CLIMATIQUES –

Partie 18: Rayonnements ionisants (dose totale)

AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation
composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nati
...