EN 15991:2011
(Main)Testing of ceramic and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with electrothermal vaporisation (ETV)
Testing of ceramic and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with electrothermal vaporisation (ETV)
This European Standard defines a method for the determination of the trace element concentrations of Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Mg, Ni, Ti, V and Zr in powdered and granular silicon carbide.
Dependent on element, wavelength, plasma conditions and weight, this test method is applicable for mass contents of the above trace contaminations from about 0,1 mg/kg to about 1 000 mg/kg, after evaluation also from 0,001 mg/kg to about 5 000 mg/kg.
NOTE 1 Generally for optical emission spectrometry using inductively coupled plasma (ICP OES) and electrothermal vaporisation (ETV) there is a linear working range of up to four orders of magnitude. This range can be expanded for the respective elements by variation of the weight or by choosing lines with different sensitivity.
After adequate verification, the standard is also applicable to further metallic elements (excepting Rb and Cs) and some non-metallic contaminations (like P and S) and other allied non-metallic powdered or granular materials like carbides, nitrides, graphite, soot, coke, coal, and some other oxidic materials (see [1], [4], [5], [6], [7], [8], [9] and [10]).
NOTE 2 There is positive experience with materials like for example graphite, B4C, Si3N4, BN and several metal oxides as well as with the determination of P and S in some of these materials.
Prüfung keramischer Roh- und Werkstoffe - Direkte Bestimmung der Massenanteile von Spurenverunreinigungen in pulver- und kornförmigem Siliciumcarbid mittels optischer Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP OES) und elektrothermischer Verdampfung (ETV)
Diese Europäische Norm legt ein Verfahren zur Bestimmung der Gehalte der Spurenelemente Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Mg, Ni, Ti, V und Zr in pulver- und kornförmigem Siliciumcarbid fest.
Das festgelegte Prüfverfahren gilt in Abhängigkeit von Element, Wellenlänge, Plasmabedingungen und Einwaage für Massenanteile der o. g. angeführten Spurenverunreinigungen von etwa 0,1 mg/kg bis etwa 1 000 mg/kg, nach Prüfung auch von 0,001 mg/kg bis etwa 5 000 mg/kg.
ANMERKUNG 1 In der Regel gilt für die optische Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP OES) und elektrothermischer Verdampfung (ETV) ein linearer Arbeitsbereich von bis zu vier Größenordnungen. Dieser Bereich kann für die einzelnen Elemente durch Änderung der Einwaage oder durch die Auswahl verschieden empfindlicher Linien erweitert werden.
Nach entsprechender Prüfung ist die Norm auch auf weitere metallische Elemente (mit Ausnahme von Rb und Cs) und einige nichtmetallische Verunreinigungen (wie P und S) und andere artverwandte nichtmetallische pulver und kornförmige Werkstoffe, wie z. B. Carbide, Nitride, Graphit, Ruß, Koks, Kohle, sowie eine Reihe weiterer oxidischer Werkstoffe anwendbar (siehe [1], [4], [5], [6], [7], [8], [9] und [10]).
ANMERKUNG 2 Es liegen positive Erfahrungen zu Werkstoffen, wie z. B. Graphit, B4C, Si3N4, BN und verschiedenen Metalloxiden sowie zur Bestimmung von P und S in einigen dieser Werkstoffe vor.
Essais sur matériaux céramiques et basiques - Détermination directe des fractions massiques d'impuretés dans les poudres et les granulés de carbure de silicium par spectroscopie d'émission optique à plasma induit par haute fréquence (ICP OES) avec vaporisation électrothermique (ETV)
La présente Norme définit une méthode pour la détermination de concentrations d'éléments traces d'Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Mg, Ni, Ti, V et Zr dans les poudres et les granulés de carbure de silicium.
Selon l’élément, la longueur d’onde, les conditions de plasma et le poids, cette méthode d’essai s’applique à des teneurs en masse des contaminants à l’état de traces précédemment mentionnés comprises entre 0,1 mg/kg environ et 1 000 mg/kg environ, après évaluation, également comprises entre 0,001 mg/kg et 5 000 mg/kg environ.
NOTE 1 Pour la spectroscopie d’émission optique avec plasma induit par haute fréquence (ICP OES) et la vaporisation électrothermique (ETV), on dispose généralement d’une plage de fonctionnement linéaire allant jusqu'à quatre ordres de grandeur. Cette plage peut être étendue pour les éléments respectifs en changeant le poids ou en choisissant des raies de sensibilité différente.
Après vérification adéquate, la présente Norme est également applicable à d’autres éléments métalliques (excepté Rb et Cs), à certains contaminants non métalliques (tels que P et S) et à d’autres matériaux non métalliques voisins sous forme de poudres ou de granulés, tels que les carbures, les nitrures, le graphite, la suie, le coke, le charbon, et à certains autres matériaux obtenus par oxydation (voir [1], [4], [5], [6], [7], [8], [9] et [10]).
NOTE 2 L’expérience s’avère positive avec des matériaux comme le graphite, B4C, Si3N4, BN, par exemple, et plusieurs oxydes métalliques et en déterminant le P et le S dans certains de ces matériaux.
Preskušanje keramičnih surovin in osnovnih materialov - Neposredno določevanje masnih frakcij nečistoč v prahu in zrnih silicijevega karbida z optično emisijsko spektroskopijo in induktivno sklopljeno plazmo (ICP OES) z elektrotermičnim uparevanjem (ETV)
Ta standard opredeljuje metodo za določevanje koncentracij elementov v sledovih Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Mg, Ni, Ti, V in Zr v prahu in zrnih silicijevega karbida.
Glede na element, valovno dolžino, pogoje plazme in težo ta preskusna metoda velja za masne vsebnosti zgoraj navedenih kontaminacij v sledovih od okrog 0,1 mg/kg do okrog 1000 mg/kg, po ovrednotenju tudi od 0,001 mg/kg do okrog 5000 mg/kg.
OPOMBA 1 V splošnem za optično emisijsko spektroskopijo z induktivno sklopljeno plazmo (ICP OES) in elektrotermično uparevanje (ETV) velja linearni delovni razpon do štirih redov velikosti. Ta razpon se lahko razširi za posamezne elemente s spreminjanjem teže ali z izbiro linij z drugačno občutljivostjo.
Po ustreznem preverjanju standard velja tudi za druge kovinske elemente (razen Rb in Cs) in nekatere nekovinske kontaminacije (kot sta P in S) ter druge sorodne nekovinske materiale v prahu ali zrnih, kot so karbidi, nitridi, grafit, saje, koks, premog in nekateri drugi oksidni materiali (glej [1], [4], [5], [6], [7], [8], [9] in [10]).
OPOMBA 2 Obstajajo pozitivne izkušnje z materiali, kot so npr. grafit, B4C, Si3N4, BN in več kovinskih oksidov, ter z določevanjem P in S v nekaterih od teh materialov.
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
2003-01.Slovenski inštitut za standardizacijo. Razmnoževanje celote ali delov tega standarda ni dovoljeno.RWHUPLþQLPPrüfung keramischer Roh- und Werkstoffe - Direkte Bestimmung der Massenanteile von Spurenverunreinigungen in pulver- und kornförmigem Siliciumcarbid mittels optischer Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP OES) und elektrothermischer Verdampfung (ETV)Essais sur matériaux céramiques et basiques - Détermination directe des fractions massiques d'impuretés dans les poudres et les granulés de carbure de silicium par spectroscopie d'émission optique à plasma induit par haute fréquence (ICP OES) avec vaporisation électrothermique (ETV)Testing of ceramic and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with electrothermal vaporisation (ETV)81.060.10SurovineRaw materialsICS:Ta slovenski standard je istoveten z:EN 15991:2011SIST EN 15991:2011en,fr,de01-november-2011SIST EN 15991:2011SLOVENSKI
STANDARD
SIST EN 15991:2011
EUROPEAN STANDARD NORME EUROPÉENNE EUROPÄISCHE NORM
EN 15991
January 2011 ICS 81.060.10 English Version
Testing of ceramic and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with electrothermal vaporisation (ETV) Essais sur matériaux céramiques et basiques - Détermination directe des fractions massiques d'impuretés dans les poudres et les granulés de carbure de silicium par spectroscopie d'émission optique à plasma induit par haute fréquence (ICP OES) avec vaporisation électrothermique (ETV)
Prüfung keramischer Roh- und Werkstoffe - Direkte Bestimmung der Massenanteile von Spurenverunreinigungen in pulver- und kornförmigem Siliciumcarbid mittels optischer Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP OES) und elektrothermischer Verdampfung (ETV) This European Standard was approved by CEN on 10 December 2010.
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EN 15991:2011 (E) 2 Contents Page Foreword .31Scope .42Principle .43Spectrometry .44Apparatus .65Reagents and auxiliary material .76Sampling and sample preparation .77Calibration .78Procedure .89Wavelength and working range .910Calculation of the results and evalua
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