IEC 60747-8-4:2004

Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications

Gives details for the following categories of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with inverse diodes: type B depletion (normally on) type and Type C enhancement (normally off) type.

Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 8-4: Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) pour les applications de commutation de puissance

Donne des détails pour les deux catégories suivantes de transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) avec des diodes inverses : type à appauvrissement, type B (normalement à l'état passant) et type à enrichissement, type C (normalement à l'état bloqué).

General Information

• Status: Replaced
• Publication Date: 23-Sep-2004
• ICS: 31.080.30 - Transistors
• Technical Committee: SC 47E - Discrete semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 3 - TC 47/SC 47E/WG 3
• Current Stage: WPUB - Publication withdrawn
• Completion Date: 31-Dec-2013

Relations

• Replaced By: IEC 60747-8:2010 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-8-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2004-09
Dispositifs discrets à semiconducteurs –
Partie 8-4:
Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique
à effet de champ (MOSFET) pour les applications
de commutation de puissance
Discrete semiconductor devices –
Part 8-4:
Metal-oxide-semiconductor field-effect
transistors (MOSFETs) for power
switching applications
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-8-4:2004
Numérotation des publications Publication numbering
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sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.
Editions consolidées Consolidated editions
Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its
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base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
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sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
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ligne sont également disponibles sur les nouvelles issued publications, withdrawn and replaced
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ainsi que sur les corrigenda.
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NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-8-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2004-09
Dispositifs discrets à semiconducteurs –
Partie 8-4:
Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique
à effet de champ (MOSFET) pour les applications
de commutation de puissance
Discrete semiconductor devices –
Part 8-4:
Metal-oxide-semiconductor field-effect
transistors (MOSFETs) for power
switching applications
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– 2 – 60747-8-4  CEI:2004
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS.8

1 Domaine d’application .12
2 Références normatives.12
3 Termes et définitions .12
3.1 Termes généraux .12
3.2 Circuit équivalent .12
3.3 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques .14
3.4 Termes conventionnels utilisés.22
4 Symboles littéraux .22
4.1 Indices supplémentaires généraux .22
4.2 Liste des symboles littéraux supplémentaires .24
5 Valeurs limites et caractéristiques essentielles .24
5.1 Généralités.24
5.2 Valeurs limites.24
5.3 Caractéristiques .28
6 Méthodes de mesure .32
6.1 Généralités.32
6.2 Vérification des valeurs limites .32
6.3 Méthodes de mesure .70
7 Réception et fiabilité (révisé à partir de l’Article 7 de la CEI 60747-8).110
7.1 Essais d’endurance et de fiabilité, et méthodes d’essai .110
7.2 Essais de type et essais individuels de série .114

Bibliographie.120

Figure 1 – Circuit équivalent d’un MOSFET avec diode inverse .14
Figure 2 – Temps pour l’énergie à l’état passant E et l’énergie à l’état bloqué E .16
on off
Figure 3 – Formes d’ondes de base pour spécifier les charges de grille.20
Figure 4 – Schéma de circuit pour la vérification de la tension drain-source.34
Figure 5 – Schéma de circuit pour la vérification de la tension grille-source.36
Figure 6 – Schéma de circuit pour la vérification de la tension grille-drain .38
Figure 7 – Schémas de circuit de mesure du courant de drain à l’état bloqué .40
Figure 8 – Circuit de base pour la vérification du courant de drain .42
Figure 9 – Schéma de circuit pour la vérification du courant de crête de drain .44
Figure 10 – Circuit de base pour la vérification du courant de drain inverse des MOSFET .46
Figure 11 – Circuit de base pour la vérification du courant de crête de drain inverse
des MOSFET .48
Figure 12 – Schéma de circuit pour la vérification de dv/dt .50
Figure 13 – Exemple de représentation graphique (Forme d’onde de courant pendant
le recouvrement direct du MOSFET).50

60747-8-4  IEC:2004 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD.9

1 Scope.13
2 Normative references .13
3 Terms and definitions .13
3.1 General terms .13
3.2 Equivalent circuit.13
3.3 Terms related to ratings and characteristics .15
3.4 Conventional used terms.23
4 Letter symbols.23
4.1 Additional general subscripts.23
4.2 List of additional letter symbols .25
5 Essential ratings and characteristics.25
5.1 General .25
5.2 Ratings (limiting values) .25
5.3 Characteristics .29
6 Measuring methods .33
6.1 General .33
6.2 Verification of ratings (limiting values) .33
6.3 Methods of measurement .71
7 Acceptance and reliability (revised from Clause 7 of IEC 60747-8) .111
7.1 Endurance and reliability tests, and test methods .111
7.2 Type tests and routine tests .115

Bibliography.121

Figure 1 – Equivalent circuit of MOSFET with inverse diode .15
Figure 2 – Integral times for the turn-on energy E and turn-off energy E .17
on off
Figure 3 – Basic waveforms to specify the gate charges .21
Figure 4 – Circuit diagram for testing of drain-source voltage.35
Figure 5 – Circuit diagram for testing of gate-source voltage.37
Figure 6 – Circuit diagram for testing of gate-drain voltage .39
Figure 7 – Circuit diagrams for the measurement of drain off-state current .41
Figure 8 – Basic circuit for the testing of drain current .43
Figure 9 – Circuit diagram for testing of peak drain current .45
Figure 10 – Basic circuit for the testing of reverse drain current of MOSFETs .47
Figure 11 – Basic circuit for the testing of peak reverse drain current of MOSFETs.49
Figure 12 – Circuit diagram for verifying dv/dt .51
Figure 13 – Example of graphical representation (current waveform during MOSFET
forward recovery) .51

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