Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 22: Bond strength

Applicable to semiconductor devices (discrete devices and integrated circuits), this test measures bond strength or determine compliance with specified bond strength requirements. The contents of the corrigendum of August 2003 have been included in this copy.

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 22: Robustesse des contacts soudés

Applicable aux dispositifs à semiconducteurs (dispositifs discrets et circuits intégrés), cet essai permet de mesurer la robustesse d'un contact soudé ou de déterminer sa conformité à des exigences de robustesse spécifiées. Le contenu du corrigendum d'août 2003 a été pris en considération dans cet exemplaire.

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Published
Publication Date
11-Sep-2002
Technical Committee
Drafting Committee
Current Stage
PPUB - Publication issued
Start Date
31-Oct-2002
Completion Date
12-Sep-2002
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IEC 60749-22:2002 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 22: Bond strength
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NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-22
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2002-09
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 22:
Robustesse des contacts soudés
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 22:
Bond strength
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60749-22:2002
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NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-22
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2002-09
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 22:
Robustesse des contacts soudés
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 22:
Bond strength
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– 2 – 60749-22 © CEI:2002
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS . 4
INTRODUCTION .8
1 Domaine d'application et objet.10
1.1 Description générale de l’essai .10
1.2 Description de l’appareillage d’essai (pour toutes les méthodes) .10
2 Méthodes A et B (voir également l’annexe A) .10
2.1 Domaine d’application .10
2.2 Description générale de l’essai .12
3 Méthode C.14
3.1 Domaine d’application .14
3.2 Méthode C: Décollage de contact soudé.14
4 Méthode D.14
4.1 Domaine d’application .14
4.2 Méthode D: Essai du contact soudé au cisaillement (applicable aux
dispositifs à surépaisseurs ou «flip chip»).16
5 Méthodes E et F .16
5.1 Domaine d’application .16
5.2 Méthode E: Essai d’arrachement par poussée .16
5.3 Méthode F: Essai d’arrachement par traction.18
5.4 Critères de défauts pour les deux méthodes E et F.18
5.5 Force à appliquer (pour les deux méthodes) .18
6 Méthode G: Essai de cisaillement du point de soudure fil («wire ball») .18
6.1 Domaine d’application .18
6.2 Description générale.20
6.3 Termes et définitions .20
6.4 Equipement et matériel.26
6.5 Procédure.28
6.6 Limites d’acceptabilité de l’essai.30
7 Renseignements que doit fournir la spécification particulière .34
Annexe A (normative) Guide .38

60749-22 © IEC:2002 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD . 5
INTRODUCTION .9
1 Scope and object .11
1.1 General description of the test .11
1.2 Description of the test apparatus (for all methods) .11
2 Methods A and B (see also annex A) .11
2.1 Scope .11
2.2 General description of the test .13
3 Method C.15
3.1 Scope .15
3.2 Method C: Bond peel .15
4 Method D.15
4.1 Scope .15
4.2 Method D: Bond shear (applied to flip chip) .17
5 Methods E and F .17
5.1 Scope .17
5.2 Method E: Push-off test .17
5.3 Method F: Pull-off test .19
5.4 Failure criteria for both methods E and F: .19
5.5 Force to be applied (both methods) .19
6 Method G: Wire ball shear test.19
6.1 Scope .19
6.2 General description .21
6.3 Terms and definitions .21
6.4 Equipment and material .27
6.5 Procedure.29
6.6 Acceptable test limits.31
7 Information to be given in the relevant specification.35
Annex A (normative) Guidance.39

– 4 – 60749-22 © CEI:2002
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE
____________
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –
MÉTHODES D'ESSAIS MÉCANIQUES ET CLIMATIQUES –
Partie 22: Robustesse des contacts soudés
AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation
composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a
pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les
domaines de l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes
internationales. Leur élaboration est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national
intéressé par le sujet traité peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non
gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement
avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les
deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, spécifications techniques, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les
Comités nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette derniè
...

Questions, Comments and Discussion

Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.