IEC 60747-8:2000

S emiconductor devices - Part 8: Field-effect transistors

Gives standards for the following categories of field-effect transistors : -Type A: junction-gate type; -Type B: insulated-gate depletion type; -Type C: insulated-gate enhancement type.

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 8: Transistors à effet de champ

Donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effet de champ: - type A : type à jonction de grille; - type B : type à grille isolée à déplétion; - type C : typeà grille isolée à enrichissement.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 20-Dec-2000
• ICS: 31.080.30 - Transistors
• Technical Committee: SC 47E - Discrete semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 3 - TC 47/SC 47E/WG 3
• Current Stage: DELPUB - Deleted Publication
• Completion Date: 15-Dec-2010

Relations

• Revised: IEC 60747-8:2010 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-8
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 8:
Transistors à effet de champ
Semiconductor devices –
Part 8:
Field-effect transistors
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-8:2000
Numérotation des publications Publication numbering

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sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
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exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and

base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
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• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
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NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-8
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-12
Dispositifs à semiconducteurs –
Partie 8:
Transistors à effet de champ
Semiconductor devices –
Part 8:
Field-effect transistors
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– 2 – 60747-8 © CEI:2000
SOMMAIRE
Pages
AVANT-PROPOS . 12

INTRODUCTION . 16

Articles
1 Domaine d'application. 18

2 Références normatives . 18

3 Classification .20
4 Terminologie et symboles littéraux . 20
4.1 Types de transistors à effet de champ . 20
4.2 Termes généraux. 24
4.3 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques. 28
4.4 Symboles littéraux . 30
5 Valeurs limites et caractéristiques essentielles . 44
5.1 Généralités . 44
5.1.1 Catégories de dispositifs. 44
5.1.2 Dispositifs à grilles multiples . 44
5.1.3 Précautions de manipulation . 44
5.2 Valeurs limites . 44
5.2.1 Températures. 44
5.2.2 Dissipation de puissance (P ). 44
tot
5.2.3 Tensions et courants. 46
5.2.4 Données mécaniques. 48
5.3 Caractéristiques. 48
5.3.1 Caractéristiques pour applications en amplificateur basse fréquence . 48
5.3.2 Caractéristiques pour applications en amplificateur haute fréquence. 52
5.3.3 Caractéristiques pour applications en commutation. 56
5.3.4 Caractéristiques pour applications en découpeur . 60
5.3.5 Caractéristiques pour applications en amplificateur à courant continu
à faible niveau . 66
5.3.6 Caractéristiques pour applications en résistance commandée
par la tension . 68
5.3.7 Caractéristiques spécifiques des transistors à effet de champ appariés

pour applications différentielles en basse fréquence . 72
5.4 Données d'applications . 74
5.4.1 Intermodulation et CAG. 74
6Méthodes de mesure. 74
6.1 Généralités . 74
6.1.1 Polarité . 74
6.1.2 Précautions générales . 74
6.1.3 Précautions de manipulation . 74
6.1.4 Catégories pour les différents types . 74
6.2 Courant résiduel de grille ou courant de fuite de grille . 74
6.2.1 Courant résiduel de grille du type à jonction de grille (type A) . 74
6.2.2 Courant de fuite de grille du type à grille isolée (types B et C) . 76

60747-8 © IEC:2000 – 3 –
CONTENTS
Page
FOREWORD .13

INTRODUCTION . 17

Clause
1 Scope . 19

2 Normative references. 19

3 Classification .21
4 Terminology and letter symbols. 21
4.1 Types of field-effect transistors . 21
4.2 General terms. 25
4.3 Terms related to ratings and characteristics. 29
4.4 Letter symbols . 31
5 Essential ratings and characteristics . 45
5.1 General. 45
5.1.1 Device categories . 45
5.1.2 Multiple-gate devices . 45
5.1.3 Handling precautions . 45
5.2 Ratings (limiting values). 45
5.2.1 Temperatures. 45
5.2.2 Power dissipation (P ). 45
tot
5.2.3 Voltages and currents . 47
5.2.4 Mechanical data. 49
5.3 Characteristics. 49
5.3.1 Characteristics for low-frequency amplifier applications . 49
5.3.2 Characteristics for high-frequency amplifier applications . 53
5.3.3 Characteristics for switching applications . 57
5.3.4 Characteristics for chopper applications. 61
5.3.5 Characteristics for low-level d.c. amplifier applications. 67
5.3.6 Characteristics for voltage-controlled resistor applications . 69
5.3.7 Specific characteristics of matched-pair field-effect transistors
for low-frequency differential applications . 73
5.4 Application data . 75

5.4.1 Intermodulation and AGC. 75
6 Measuring methods. 75
6.1 General. 75
6.1.1 Polarity . 75
6.1.2 General precautions. 75
6.1.3 Handling precautions . 75
6.1.4 Type categories . 75
6.2 Gate cut-off current or gate leakage current. 75
6.2.1 Gate cut-off current of junction-gate type (type A) . 75
6.2.2 Gate leakage current of insulated-gate type (types B and C). 77

– 4 – 60747-8 © CEI:2000
Articles Pages
6.3 Courant de drain (typ
...