IEC 60747-5-3:1997/AMD1:2002
(Amendment)Amendment 1 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-3: Optoelectronic devices - Measuring methods
Amendment 1 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-3: Optoelectronic devices - Measuring methods
Amendement 1 - Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure
General Information
Relations
Standards Content (Sample)
NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-5-3
INTERNATIONAL
STANDARD
AMENDEMENT 1
AMENDMENT 1
2002-03
Amendement 1
Dispositifs discrets à semiconducteurs
et circuits intégrés –
Partie 5-3:
Dispositifs optoélectroniques –
Méthodes de mesure
Amendment 1
Discrete semiconductor devices
and integrated circuits –
Part 5-3:
Optoelectronic devices –
Measuring methods
IEC 2002 Droits de reproduction réservés Copyright - all rights reserved
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M
Commission Electrotechnique Internationale
PRICE CODE
International Electrotechnical Commission
Международная Электротехническая Комиссия
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– 2 – 60747-5-3 Amend. 1 CEI:2002
AVANT-PROPOS
Le présent amendement a été établi par le sous-comité 47E: Dispositifs discrets à
semiconducteurs, du comité d'études 47 de la CEI: Dispositifs à semiconducteurs.
Le texte de cet amendement est issu des documents suivants:
FDIS Rapport de vote
47E/210/FDIS 47E/215/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote
ayant abouti à l'approbation de cet amendement.
Le comité a décidé que le contenu de la publication de base et de ses amendements ne sera
pas modifié avant 2004. A cette date, la publication sera
• reconduite;
• supprimée;
• remplacée par une édition révisée, ou
• amendée.
_____________
Page 56
Ajouter les nouveaux paragraphes 5.8 et 5.15.2 suivants:
5.8 Courant de crête à l'état bloqué (I )
DRM
a) Objet
Mesurer le courant de fuite direct entre les bornes de sortie à l'état bloqué dans des
conditions spécifiées.
60747-5-3 Amend. 1 IEC:2002 – 3 –
FOREWORD
This amendment has been prepared by subcommittee 47E: Discrete semiconductor devices,
of IEC technical committee 47: Semiconductor devices.
The text of this amendment is based on the following documents:
FDIS Report on voting
47E/210/FDIS 47E/215/RVD
Full information on the voting for the approval of this amendment can be found in the report
on voting indicated in the above table.
The committee has decided that the contents of the base publication and its amendments will
remain unchanged until 2004. At this date, the publication will be
• reconfirmed;
• withdrawn;
• replaced by a revised edition, or
• amended.
____________
Page 57
Add the following new subclauses 5.8 to 5.15.2:
5.8 Peak off-state current (I )
DRM
a) Purpose
To measure the forward leakage current between the output terminals in off-state under
specified conditions.
– 4 – 60747-5-3 Amend. 1 CEI:2002
b) Schéma de circuit
Méthode à courant continu
R
S
T1
A
V
T2
IEC 689/02
Méthode à courant alternatif
R
S
T1
R
T2
OSC OSC
IEC 690/02
R Résistance à limitation de courant
S
R
Résistance à détection de courant
Figure 26 – Circuit de mesure pour courant de crête à l'état bloqué
c) Procédure de mesure
1) Méthode à courant continu
Le courant de crête à l'état bloqué (I ) est mesuré avec la tension directe à l'état
DRM
bloqué spécifiée qui est appliquée entre les bornes de sortie à l'état bloqué.
Le courant de crête à l'état bloqué (I ) est mesuré à nouveau avec la polarité
DRM
inverse des bornes de sortie (T1, T2) au moyen de l'application du courant/de la
tension inverse entre les bornes.
60747-5-3 Amend. 1 IEC:2002 – 5 –
b) Circuit diagram
DC method
R
S
T1
A
V
T2
IEC 689/02
AC method
R
S
T1
R
T2
OSC OSC
IEC 690/02
R Current limiting resistor
S
R Current detecting resistor
Figure 26 – Measurement circuit for peak off-state current
c) Measurement procedure
1) DC method
The peak off-state current (I ) is measured with the specified forward off-state
DRM
voltage which is applied between the output terminals in off-state.
The peak off-state current (I ) is measured again with inverted polarity of the output
DRM
terminals (T1, T2) by applying the reverse voltage/current between the terminals.
– 6 – 60747-5-3 Amend. 1 CEI:2002
2) Méthode à courant alternatif
Le courant de crête à l'état bloqué (I ) est mesuré à la tension de crête à l'état
DRM
bloqué spécifiée avec la tension à courant alternatif à rectification à simple alternance
avec la fréquence de ligne à courant alternatif commerciale, qui est appliquée entre
les bornes de sortie à l'état bloqué.
Le courant de crête à l'état bloqué (I ) est mesuré à nouveau avec la polarité
DRM
inverse des bornes de sortie (T1, T2) au moyen de l'application du courant/de la
tension inverse entre les bornes.
Tension
Tension spécifiée
de crête à l'état bloqué
Temps
Courant
Courant de crête
à l'état bloqué
Temps
IEC 691/02
Figure 27 – Formes d'ondes de la tension et du courant de crête à l'état bloqué
d) Prescriptions
1) La méthode de mesure du courant de crête à l'état bloqué utilise deux polarités de
tension forcée (T1→T2 et T2→T1).
2) Dans le cas de la méthode à courant continu, il convient que le taux de balayage de
la tension continue appliquée entre les bornes de sortie (T1, T2) ne dépasse pas le
taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué (dV/dt).
Dans le cas de la méthode à courant alternatif, il convient que le taux de variation
(dV/dt) de la tension sinusoïdale appliquée entre les bornes de sortie (T1, T2) ne
dépasse pas le taux critique d'augmentation de la tension à l'état bloqué (dV/dt).
e) Conditions spécifiées
1) Tension de crête à l'état bloqué (V )
DRM
2) Température ambiante (T ).
amb
5.9 Tension de crête à l'état passant (V )
TM
a) Objet
Mesurer la tension de crête à l'état passant entre les bornes de sortie à l'état passant
dans des conditions spécifiées, lorsque le courant spécifié à l'état passant est appliqué
entre les bornes de sortie à l'état passant.
60747-5-3 Amend. 1 IEC:2002 – 7 –
2) AC method
The peak off-state current (I ) is measured at the specified peak off-state voltage
DRM
with the half-wave-rectified a.c. voltage with commercial a.c. line frequency, which is
applied between the output terminals in off-state.
The peak off-state current (I ) is measured again with inverted polarity of the output
DRM
terminals (T1, T2) by applying the reverse voltage/current between the terminals.
Voltage
Specified peak
off-state voltage
Time
Current
Peak off-state
current
Time
IEC 691/02
Figure 27 – Waveforms of the peak off-state voltage and current
d) Requirements
1) The measurement method of the peak off-state current uses two forced-voltage
polarities (T1→T2 and T2→T1).
2) In the case of the d.c. method, the slew rate of the applied d.c. voltage between the
output terminals (T1, T2) should not exceed the critical rate of rise of the off-state
voltage (dV/dt).
In the case of the a.c. method, the rate of change (dV/dt) of the applied sine-wave-
voltage between the output terminals (T1, T2) should not exceed the critical rate of
rise of the off-state voltage (dV/dt).
e) Specified conditions
1) Peak off-state voltage (V )
DRM
2) Ambient temperature (T ).
amb
5.9 Peak on-state voltage (V )
TM
a) Purpose
To measure the peak on-state voltage between the output terminals in on-state under
specified conditions, when the specified on-state current is applied between the output
terminals in on-state.
– 8 – 60747-5-3 Amend. 1 CEI:2002
b) Schéma de circuit
Méthode à courant continu
I
R F
S1
R
S2
T1
A
A
V
T2
IEC 692/02
Méthode à courant alternatif
I
F
D
R
2 R
S1
S2
T1
A
R D
2 1
R
T2
OSC OSC
IEC 693/02
R , R Résistances à limitation de courant
S1 S2
R Résistance à détection de courant
R Résistance destinée à empêcher le phototriaque d'être hors tension
D Diode destinée à diminuer la partie du courant continu dans la ligne électrique
NOTE Il convient que R soit sélectionnée de façon approximative pour régler la tension entre les bornes,
qui est causée par le courant de fuite à travers D , à presque zéro volt.
Figure 28 – Circuit de mesure pour courant de crête à l'état passant
c) Procédure de mesure
1) Méthode à courant continu
Le courant direct d'entrée spécifié (I ) est appliqué pour l'établissement de la sortie.
F
Par la suite, le courant spécifié à l'état passant est appliqué entre les bornes de
sortie.
On mesure la tension entre les bornes de sortie (tension de crête à l'état passant
(V )). La tension entre les bornes de sortie est mesurée à nouveau avec la polarité
TM
inversée des bornes de sortie (T1, T2) au moyen de l'application de la tension/du
courant inverse entre les bornes.
Une source de courant constante peut être utilisée à la place d'une source de tension
constante du côté de l'entrée.
2) Méthode à courant alternatif
Le courant direct d'entrée spécifié (I ) est appliqué pour l'établissement de la sortie.
F
Par la suite, la tension à courant alternatif à rectification à simple alternance avec la
fréquence de ligne à courant alternatif commerciale est appliquée entre les bornes de
sortie. On mesure la tension entre les bornes de sortie (tension de crête à l'état
passant (V )) au courant de crête à l'état passant spécifié.
TM
60747-5-3 Amend. 1 IEC:2002 – 9 –
b) Circuit diagram
DC method
I
R F
S1
R
S2
T1
A
A
V
T2
IEC 692/02
AC method
I
F
D
R
2 R
S1
S2
T1
A
R D
R
T2
OSC OSC
IEC 693/02
R , R Current limiting resistors
S1 S2
R Current detecting resistor
R Resistor to prevent the phototriac from being off-voltage
D Diode for decreasing d.c. current part in power line
NOTE R should be selected approximately to adjust the voltage between the terminals, which is caused by the
leakage current through D , to nearly zero volt.
Figure 28 – Measurement circuit for peak on-state voltage
c) Measurement procedure
1) DC method
The specified input forward current (I ) is applied to turn on the output, after which
F
the specified on-state current is applied between the output terminals.
The voltage between the output terminals (peak on-state voltage (V )) is measured.
TM
The voltage between the output terminals is measured again with inverted polarity of
the output terminals (T1, T2) by applying the reverse voltage/current between the
terminals.
A constant current source may be used instead of a constant voltage source on the
input side.
2) AC method
The specified input forward current (I ) is applied to turn on the output, after which
F
the half-wave-rectified a.c. voltage with commercial a.c. line frequency is applied
between the output terminals. The voltage between the output terminals (peak on-
state voltage (V )) is measured at the specified peak on-state current.
TM
– 10 – 60747-5-3 Amend. 1 CEI:2002
La tension entre les bornes de sortie est mesurée à nouveau avec la polarité inversée
des bornes de sortie (T1, T2) au moyen de l'application de la tension/du courant
inverse entre les bornes.
Une source de courant constant peut être utilisée à la place d'une source de tension
constante du côté de l'entrée.
Tension
Tension de crête
à l'état passant
Temps
Courant
Courant spécifié de crête
à l'état passant
Temps
IEC 694/02
Figure 29 – Formes d'ondes de la tension et du courant de crête à l'état passant
d) Prescriptions
La méthode de mesure de la tension de crête à l'état passant utilise deux polarités de
tension forcée (T1→T2 et T2→T1).
e) Conditions spécifiées
1) Courant de crête à l'état passant (I )
TM
2) Courant direct d'entrée (I )
F
3) Température ambiante (T ).
amb
5.10 Courant continu à l'état bloqué (I )
BD
a) Objet
Mesurer le courant de fuite entre les bornes de sortie à l'état bloqué dans des conditions
spécifiées.
b) Schéma de circuit
R
S
T1
A
V
T2
IEC 695/02
R Résistance à limitation de courant
S
Figure 30 – Circuit de mesure pour courant continu à l'état bloqué
60747-5-3 Amend. 1 IEC:2002 – 11 –
The voltage between the output terminals is measured again with inverted polarity of
the output terminals (T1, T2) by applying the reverse voltage/current between the
terminals.
A constant current source may be used instead of a constant voltage source on the
input side.
Voltage
Peak on-state
voltage
Time
Current
Specified peak on-state
current
Time
IEC 694/02
Figure 29 – Waveforms of the peak on-state voltage and current
d) Requirements
The measurement method of the peak on-state voltage uses two forced-voltage polarities
(T1→T2 and T2→T1).
e) Specified conditions
1) Peak on-state current (I )
TM
2) Input forward current (I )
F
3) Ambient temperature (T ).
amb
5.10 DC off-state current (I )
BD
a) Purpose
To measure the leakage current between the output terminals in off-state under specified
conditions.
b) Circuit diagram
R
S
T1
A
V
T2
IEC 695/02
R Current limiting resistor
S
Figure 30 – Measurement circuit for d.c. off-state current
– 12 – 60747-5-3 Amend. 1 CEI:2002
c) Procédure de mesure
La tension continue à l'état bloqué spécifiée est appliquée entre les bornes de sortie à
l'état bloqué. Le courant de fuite est mesuré à nouveau avec la polarité inversée des
bornes de sortie (T1, T2) au moyen de l'application du courant/de la tension inverse entre
les bornes.
d) Prescriptions
1) La méthode de mesure du courant continu à l'état bloqué utilise deux polarités de
tension forcée (T1→T2 et T2→T1).
2) Il convient que le taux de balayage de la tension continue appliquée entre les bornes
de sortie (T1, T2) ne dépasse pas le taux critique d'augmentation de tension à l'état
bloqué (dV/dt).
e) Conditions spécifiées
1) Tension continue à l'état bloqué (V )
BD
2) Température ambiante (T ).
amb
5.11 Tension continue à l'état passant (V )
T
a) Objet
Mesurer la tension continue entre les bornes de sortie à l'état passant dans des
conditions spécifiées, lorsque le courant direct spécifié est appliqué entre les bornes de
sortie à l'état passant.
b) Schéma de circuit
I
F
R
R
S1 S2
T1
A
A
V
T2
IEC 696/02
R , R Résistances à limitation de courant
S1 S2
Figure 31 – Circuit de mesure pour courant continu à l'état passant
c) Procédure de mesure
Le courant direct d'entrée spécifié (I ) est appliqué pour l'établissement de la sortie. Par
F
la suite, le courant continu spécifié à l'état passant est appliqué entre les bornes de
sortie.
On mesure la tension entre les bornes de sortie (tension continue à l'état passant (V )).
T
La tension entre les bornes de sortie est mesurée à nouveau avec la polarité inversée
des bornes de sortie (T1, T2) au moyen de l'application de la tension/du cour
...
Questions, Comments and Discussion
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