IEC 60749-17:2003

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation

Used to determine the susceptibility of semiconductor devices to degradation in the neutron environment. Applicable to integrated circuits and discrete semiconductor devices.

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 17: Irradiation aux neutrons

Utilisé pour déterminer la sensibilité à la dégradation des dispositifs à semiconducteurs placés dans un environnement de neutrons. Applicable aux circuits intégrés et aux dispositifs à semiconducteurs.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 19-Feb-2003
• ICS: 31.080.01 - Semiconductor devices in general
• Technical Committee: TC 47 - Semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 2 - TC 47/WG 2
• Current Stage: DELPUB - Deleted Publication
• Start Date: 02-Apr-2018
• Completion Date: 28-Mar-2019

Relations

• Revised: IEC 60749-17:2019 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-17
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2003-02
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 17:
Irradiation aux neutrons
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 17:
Neutron irradiation
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60749-17:2003
Numérotation des publications Publication numbering

Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are

sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For

devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.

Editions consolidées Consolidated editions

Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its

CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1

exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
Informations supplémentaires Further information on IEC publications
sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
nibles dans le Catalogue des publications de la CEI available in the IEC Catalogue of publications
(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
également disponibles par l’intermédiaire de: is also available from the following:
• Site web de la CEI (www.iec.ch) • IEC Web Site (www.iec.ch)
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
Le catalogue en ligne sur le site web de la CEI The on-line catalogue on the IEC web site
(http://www.iec.ch/searchpub/cur_fut.htm) vous permet (http://www.iec.ch/searchpub/cur_fut.htm) enables
de faire des recherches en utilisant de nombreux you to search by a variety of criteria including text
critères, comprenant des recherches textuelles, par searches, technical committees and date of
comité d’études ou date de publication. Des publication. On-line information is also available
informations en ligne sont également disponibles sur on recently issued publications, withdrawn and
les nouvelles publications, les publications rempla- replaced publications, as well as corrigenda.
cées ou retirées, ainsi que sur les corrigenda.
• IEC Just Published • IEC Just Published
Ce résumé des dernières publications parues This summary of recently issued publications
(http://www.iec.ch/online_news/justpub/jp_entry.htm) (http://www.iec.ch/online_news/justpub/jp_entry.htm)
est aussi disponible par courrier électronique. is also available by email. Please contact the
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NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60749-17
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2003-02
Dispositifs à semiconducteurs –
Méthodes d'essais mécaniques et climatiques –
Partie 17:
Irradiation aux neutrons
Semiconductor devices –
Mechanical and climatic test methods –
Part 17:
Neutron irradiation
 IEC 2003 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
Aucune partie de cette publication ne peut être reproduite ni No part of this publication may be reproduced or utilized in any
utilisée sous quelque forme que ce soit et par aucun procédé, form or by any means, electronic or mechanical, including
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CODE PRIX
F
Commission Electrotechnique Internationale PRICE CODE
International Electrotechnical Commission
Международная Электротехническая Комиссия
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– 2 – 60749-17  CEI:2003
COMMISSION ÉLECTROTECHNIQUE INTERNATIONALE

____________
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –

MÉTHODES D’ESSAIS MÉCANIQUES ET CLIMATIQUES –

Partie 17: Irradiation aux neutrons

AVANT-PROPOS
1) La CEI (Commission Electrotechnique Internationale) est une organisation mondiale de normalisation
composée de l'ensemble des comités électrotechniques nationaux (Comités nationaux de la CEI). La CEI a
pour objet de favoriser la coopération internationale pour toutes les questions de normalisation dans les
domaines de l'électricité et de l'électronique. A cet effet, la CEI, entre autres activités, publie des Normes
internationales. Leur élaboration est confiée à des comités d'études, aux travaux desquels tout Comité national
intéressé par le sujet traité peut participer. Les organisations internationales, gouvernementales et non
gouvernementales, en liaison avec la CEI, participent également aux travaux. La CEI collabore étroitement
avec l'Organisation Internationale de Normalisation (ISO), selon des conditions fixées par accord entre les
deux organisations.
2) Les décisions ou accords officiels de la CEI concernant les questions techniques représentent, dans la mesure
du possible un accord international sur les sujets étudiés, étant donné que les Comités nationaux intéressés
sont représentés dans chaque comité d’études.
3) Les documents produits se présentent sous la forme de recommandations internationales. Ils sont publiés
comme normes, spécifications techniques, rapports techniques ou guides et agréés comme tels par les
Comités nationaux.
4) Dans le but d'encourager l'unification internationale, les Comités nationaux de la CEI s'engagent à appliquer de
façon transparente, dans toute la mesure possible, les Normes internationales de la CEI dans leurs normes
nationales et régionales. Toute divergence entre la norme de la CEI et la norme nationale ou régionale
correspondante doit être indiquée en termes clairs dans cette dernière.
5) La CEI n’a fixé aucune procédure concernant le marquage comme indication d’approbation et sa responsabilité
n’est pas engagée quand un matériel est déclaré conforme à l’une de ses normes.
6) L’attention est attirée sur le fait que certains des éléments de la présente Norme internationale peuvent faire
l’objet de droits de propriété intellectuelle ou de droits analogues. La CEI ne saurait être tenue pour
responsable de ne pas avoir identifié de tels droits de propriété et de ne pas avoir signalé leur existence.
La Norme internationale CEI 60749-17 a été établie par le comité d'études 47 de la CEI:
Dispositifs à semiconducteurs.
Le texte de cette norme est issu des documents suivants:
FDIS Rapport de vote
47/1668/FDIS 47/1686/RVD
Le rapport de vote indiqué dans le tableau ci-dessus donne toute information sur le vote ayant
abouti à l'approbation de cette norme.
Cette publication a été rédigée selon les Directives ISO/CEI, Partie 2.
Le comité a décidé que le contenu de cette publication ne sera pas modifié avant 2007.
A cette date, la publication sera
• reconduite;
• supprimée;
• remplacée par une édition révisée, ou
• amendée.
60749-17  IEC:2003 – 3 –
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION

____________
SEMICONDUCTOR DEVICES –
MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS –

Part 17: Neutron irradiation
FOREWORD
1) The IEC (International Electrotechnical Commission) is a worldwide organization for standardization comprising
all national electrotechnical committees (IEC National Committees). The object of the IEC is to promote
international co-operation on all questions concerning standardization in the electrical and electronic fields. To
this end and in addition to other activities, the IEC publishes International Standards. Their preparation is
entrusted to technical committees; any IEC National Committee interested in the subject dealt with may
participate in this preparatory work. International, governmental and non-governmental organizations liaising
with the IEC also participate in this preparation. The IEC collaborates closely with the International
Organization for Standardization (ISO) in accordance with conditions determined by agreement between the
two organizations.
2) The formal decisions or agreements of the IEC on technical matters express, as nearly as possible, an
international consensus of opinion on the relevant subjects since each technical committee has representation
from all interested National Committees.
3) The documents produced have the form of recommendations for international use and are published in the form
of standards, technical specifications, technical reports or guides and they are accepted by the National
Committees in that sense.
4) In order to promote international unification, IEC National Committees undertake to apply IEC International
Standards transparently to the maximum extent possible in their national and regional standards. Any
divergence between the IEC Standard and the corresponding national or regional standard shall be clearly
indicated in the latter.
5) The IEC provides no marking procedure to indicate its approval and cannot be rendered responsible for any
equipment declared to be in conformity with one of its standards.
6) Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this International Standard may be the subject
of patent rights. The IEC shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
International Standard IEC 60749-17 has been prepared by IEC technical committee 47:
Semiconductor devices.
The text of this standard is based on the following documents:
FDIS Report on voting
47/1668/FDIS 47/1686/RVD
Full information on the voting for the approval of this standard can be found in the report on
voting indicated in the above table.
This publication has been drafted in accordance with the ISO/IEC Directives, Part 2.
The committee has decided that the contents of this publication will remain unchanged until
2007. At this date, the publication will be
• reconfirmed;
• withdrawn;
• replaced by a revised edition, or
• amended.
– 4 – 60749-17  CEI:2003
DISPOSITIFS À SEMICONDUCTEURS –

MÉTHODES D’ESSAIS MÉCANIQUES ET CLIMATIQUES –

Partie 17: Irradiation aux neutrons

1 Domaine d’application et objet

L’essai d’irradiation aux neutrons est réalisé pour déterminer la sensibilité à la dégradation
des dispositifs à semiconducteurs placés dans un environnement de neutrons. Les essais
décrits ici sont applicables aux circuits intégrés et aux dispositifs à semiconducteurs. Cet
essai est destiné aux applications des domaines militaire et spatial. Il s’agit d’un essai
destructif.
Les objectifs de l'essai sont les suivants:
a) détecter et mesurer la dégradation des paramètres critiques des dispositifs à semi-
conducteurs en fonction de la fluence des neutrons, et
b) déterminer si des paramètres spécifiés des dispositifs à semiconducteurs sont dans les
limites spécifiées après exposition à un niveau spécifié de fluence de neutrons (voir
Article 4).
2 Appareillage d’essai
2.1 Appareils de mesure pour les essais
Les appareils de mesure à utiliser pour l’essai aux rayonnements doivent être des appareils
d’essais électroniques de laboratoires normalisés comme les alimentations, les voltmètres
numériques et les pico-ampèremètres, etc., capables de mesurer les paramètres électriques
exigés.
2.2 Source de rayonnements
La source de rayonnements utilisée dans cet essai doit être un réacteur pulsé.
2.3 Equipement dosimétrique
32 54 58
a) Feuilles d’activation de seuil à neutrons rapides comme S, Fe et Ni.

b) Dosimètres thermoluminescents (TLD) CaF2.
c) Equipement de comptage de feuilles d’activation et de lecture de TLD approprié.
2.4 Mesures dosimétriques
2.4.1 Fluences des neutrons
La fluence des neutrons utilisée pour l’irradiation des dispositifs doit être obtenue en
mesurant la quantité de radioactivité induite dans une feuille d’activation de seuil à neutrons
32 54 58
rapides telle que S, Fe ou Ni, irradiée simultanément avec l’appareil.
Une méthode normalisée doit être utilisée pour convertir la radioactivité mesurée dans la
feuille d’activation spécifique employée en fluence à neutrons. La conversion de la radio-
activité de la feuille en fluence de neutrons exige une connaissance du spectre des neutrons
incident sur la feuille. Si le spectre n’est pas connu, il doit être déterminé en utilisant une
norme nationale reconnue ou équivalente.

60749-17  IEC:2003 – 5 –
SEMICONDUCTOR DEVICES –
MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS –

Part 17: Neutron irradiation
1 Scope and object
The neutron irradiation test is performed to determine the susceptibility of semiconductor
devices to degradation in the neutron environment. The tests described herein are applicable
to integrated circuits and discrete semiconductor devices. This test is intended for military-
and space-related applications. It is a
...