IEC 60747-2:2000

Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes

Gives standards for rectifier diodes such as avalanche, controlled avalanche or fast-switching rectifier diodes.

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 2: Diodes de redressement

Donne les normes pour les diodes de redressement à avalanche, à avalanche contrôlée et à commutation rapide.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 20-Mar-2000
• ICS: 31.080.10 - Diodes
• Technical Committee: SC 47E - Discrete semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 3 - TC 47/SC 47E/WG 3
• Current Stage: DELPUB - Deleted Publication
• Completion Date: 13-Apr-2016

Relations

• Revised: IEC 60747-2:2016 - Semiconductor devices - Part 2: Discrete devices - Rectifier diodes
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-2
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-03
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets et circuits intégrés –
Partie 2:
Diodes de redressement
Semiconductor devices –
Discrete devices and integrated circuits –
Part 2:
Rectifier diodes
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-2:2000
Numéros des publications Numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. issued with a designation in the 60000 series.
Publications consolidées Consolidated publications
Les versions consolidées de certaines publications de Consolidated versions of some IEC publications
la CEI incorporant les amendements sont disponibles. including amendments are available. For example,
Par exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 edition numbers 1.0, 1.1 and 1.2 refer, respectively, to
indiquent respectivement la publication de base, la the base publication, the base publication incor-
publication de base incorporant l’amendement 1, et la porating amendment 1 and the base publication
publication de base incorporant les amendements 1 incorporating amendments 1 and 2.
et 2.
Validité de la présente publication Validity of this publication
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. the content reflects current technology.
Des renseignements relatifs à la date de reconfir- Information relating to the date of the reconfirmation
mation de la publication sont disponibles dans le of the publication is available in the IEC catalogue.
Catalogue de la CEI.
Les renseignements relatifs à des questions à l’étude et Information on the subjects under consideration and
des travaux en cours entrepris par le comité technique work in progress undertaken by the technical
qui a établi cette publication, ainsi que la liste des committee which has prepared this publication, as well
publications établies, se trouvent dans les documents ci- as the list of publications issued, is to be found at the
dessous: following IEC sources:
• «Site web» de la CEI* • IEC web site*
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
Publié annuellement et mis à jour Published yearly with regular updates
régulièrement
(Catalogue en ligne)* (On-line catalogue)*
• Bulletin de la CEI • IEC Bulletin
Disponible à la fois au «site web» de la CEI* Available both at the IEC web site* and
et comme périodique imprimé as a printed periodical
Terminologie, symboles graphiques Terminology, graphical and letter
et littéraux symbols
En ce qui concerne la terminologie générale, le lecteur For general terminology, readers are referred to
se reportera à la CEI 60050: Vocabulaire Electro- IEC 60050: International Electrotechnical Vocabulary
technique International (VEI). (IEV).
Pour les symboles graphiques, les symboles littéraux For graphical symbols, and letter symbols and signs
et les signes d'usage général approuvés par la CEI, le approved by the IEC for general use, readers are
lecteur consultera la CEI 60027: Symboles littéraux à referred to publications IEC 60027: Letter symbols to
utiliser en électrotechnique, la CEI 60417: Symboles be used in electrical technology, IEC 60417: Graphical
graphiques utilisables sur le matériel. Index, relevé et symbols for use on equipment. Index, survey and
compilation des feuilles individuelles, et la CEI 60617: compilation of the single sheets and IEC 60617:
Symboles graphiques pour schémas. Graphical symbols for diagrams.
* Voir adresse «site web» sur la page de titre. * See web site address on title page.

NORME CEI
INTERNATIONALE IEC
60747-2
INTERNATIONAL
Deuxième édition
STANDARD
Second edition
2000-03
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets et circuits intégrés –
Partie 2:
Diodes de redressement
Semiconductor devices –
Discrete devices and integrated circuits –
Part 2:
Rectifier diodes
 IEC 2000 Droits de reproduction réservés  Copyright - all rights reserved
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XB
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For price, see current catalogue

– 2 – 60747-2 © CEI:2000
SOMMAIRE
Pages
AVANT-PROPOS .10
Articles
1 Domaine d'application.12
2 Références normatives .12
3 Termes et définitions .12
3.1 Termes généraux .14
3.2 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: tensions .14
3.3 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: courants .16
3.4 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: dissipations
de puissance .20
3.5 Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques: autres caractéristiques 20
4 Symboles littéraux .28
4.1 Généralités.28
4.2 Indices généraux supplémentaires .28
4.2.1 Pour les courants, les tensions et les puissances .28
4.2.2 Pour les paramètres électriques.28
4.3 Liste de symboles littéraux.28
4.3.1 Tensions.30
4.3.2 Courants.32
4.3.3 Puissances . 34
4.3.4 Commutation .34
5 Valeurs limites et caractéristiques essentielles. 34
5.1 Généralités.34
5.1.1 Gamme d'application .34
5.1.2 Méthodes de spécification.34
5.1.3 Températures recommandées.34
5.2 Conditions pour les valeurs limites.36
5.2.1 Diodes de redressement à température ambiante spécifiée .36
5.2.2 Diodes de redressement à température de boîtier spécifiée. 36
5.3 Valeurs limites de tension et de courant.36
5.3.1 Tension inverse de pointe non répétitive (V ).36
RSM
5.3.2 Tension inverse de pointe répétitive (V ) .36
RRM
5.3.3 Tension inverse de crête (V ) .36
RWM
5.3.4 Tension inverse continue (V ) (s'il y a lieu) .38
R
5.3.5 Courant direct moyen (I ) .38
FAV
5.3.6 Courant direct de pointe répétitif (I ) (s'il y a lieu), (spécialement pour
FRM
les diodes à commutation rapide).38
5.3.7 Courant direct de surcharge prévisible (l ).40
(OV)
5.3.8 Courant direct non répétitif de surcharge accidentelle (I ) .40
FSM
5.3.9 Courant direct continu (I ).40
F
5.3.10 Courant de pointe pour non-rupture du boîtier (I ). 40
RSMC
60747-2 © IEC:2000 – 3 –
CONTENTS
Page
FOREWORD .11
Clause
1 Scope . 13
2 Normative references. 13
3 Terms and definitions. 13
3.1 General terms. 15
3.2 Terms related to ratings and characteristics: voltages. 15
3.3 Terms related to ratings and characteristics: currents . 17
3.4 Terms related to ratings and characteristics: power dissipations . 21
3.5 Terms related to ratings and characteristics: other characteristics . 21
4 Letter symbols . 29
4.1 General. 29
4.2 Additional general subscripts . 29
4.2.1 For currents, voltages and powers . 29
4.2.2 For electrical parameters . 29
4.3 List of letter symbols. 29
4.3.1 Voltages. 31
4.3.2 Currents. 33
4.3.3 Powers. 35
4.3.4 Switching . 35
5 Essential ratings and characteristics . 35
5.1 General. 35
5.1.1 Range of application . 35
5.1.2 Rating methods. 35
5.1.3 Recommended temperatures . 35
5.2 Rating conditions . 37
5.2.1 Ambient-rated rectifier diodes . 37
5.2.2 Case-rated rectifier diodes . 37
5.3 Voltage and current ratings (limiting values) . 37
5.3.1 Non-repetitive peak reverse voltage (V ) . 37
RSM
5.3.2 Repetitive peak reverse voltage (V ) . 37
RRM
5.3.3 Crest (peak) working reverse voltage (V ). 37
RWM
5.3.4 Continuous (direct) reverse voltage (V ) (where appropriate). 39
R
5.3.5 Mean forward current (I ) . 39
FAV
5.3.6 Repetitive peak forward current (I ) (where appropriate),
FRM
(especially for fast-switching diodes). 39
5.3.7 Overload forward current (I ) . 41
(OV)
5.3.8 Surge (non-repetitive) forward current (I ) . 41
FSM
5.3.9 Continuous (direct) forward current (I ) . 41
F
5.3.10 Peak case non-rupture current (I ). 41
RSMC
– 4 – 60747-2 © CEI:2000
5.4 Valeurs limites de fréquence.40
5.5 Valeurs limites de dissipation de puissance .42
5.5.1 Dissipation de puissance inverse due à une surcharge accidentelle (non
répétitive) (pour les diodes de redressement à avalanche et à avalanche
contrôlée) .42
5.5.2 Dissipation de puissance inverse de pointe répétitive (pour les diodes
de redressement à avalanche contrôlée) .42
5.5.3 Dissipation de puissance inverse moyenne (pour les diodes de redres-
sement à avalanche contrôlée) .42
5.6 Valeurs limites de température .
...