IEC 60747-7:2010

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors

IEC 60747-7:2010 gives the requirements applicable to the following sub-categories of bipolar transistors excluding microwave transistors.
- Small signal transistors (excluding switching and microwave applications);
- Linear power transistors (excluding switching, high-frequency, and microwave applications);
- High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications;
- Switching transistors for high speed switching and power switching applications;
- Resistor biased transistors. The main changes with respect to previous edition are listed below.
a) Clause 1 was amended by adding an item that should be included.
b) Clauses 3, 4, 5, 6 and 7 were amended by adding terms, definitions, suitable additions and deletions those should be included.
c) The text of the second edition was combined with that of IEC 60747-7-5.
This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006.

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires

La CEI 60747-7:2010 donne les exigences applicables aux sous-catégories suivantes de transistors bipolaires, à l'exclusion des transistors micro-ondes.
- Transistors petits signaux (à l'exclusion des applications en commutation et en micro-ondes);
- Transistors de puissance linéaire (à l'exclusion des applications en commutation, à haute fréquence et en micro-ondes);
- Transistors de puissance haute fréquence pour applications en amplificateurs et en oscillateurs;
- Transistors de commutation pour applications en commutation à grande vitesse et en commutation de puissance;
- Transistors à résistances de polarisation. Les principaux changements par rapport à l'édition précédente sont énumérés ci-dessous.
a) L'article 1 a été amendé par l'ajout d'un élément qu'il convient d'inclure.
b) Les articles 3, 4, 5, 6 et 7 ont été amendés en ajoutant des termes et des définitions, ainsi que des ajouts et suppressions adaptés qu'il convient d'inclure.
c) Le texte de la deuxième édition a été combiné à la CEI 60747-7-5.
Cette publication doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 15-Dec-2010
• ICS: 01 - GENERALITIES. TERMINOLOGY. STANDARDIZATION. DOCUMENTATION
• ICS: 31.080.30 - Transistors
• Technical Committee: SC 47E - Discrete semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 3 - TC 47/SC 47E/WG 3
• Current Stage: PPUB - Publication issued
• Start Date: 15-Jan-2011
• Completion Date: 16-Dec-2010

Relations

• Replaces: IEC 60747-7-5:2005 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applications
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Amended By: IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 - Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Revises: IEC 60747-7:2000 - Semiconductor discrete devices and integrated circuits - Part 7: Bipolar transistors
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

IEC 60747-7 ®
Edition 3.0 2010-12
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 7: Bipolar transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 7: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7 ®
Edition 3.0 2010-12
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 7: Bipolar transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 7: Transistors bipolaires

INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
PRICE CODE
INTERNATIONALE
XD
CODE PRIX
ICS 31.080.30 ISBN 978-2-88912-311-7
– 2 – 60747-7 Ó IEC:2010
CONTENTS
FOREW ORD . 6
1 Sc o pe . 8
2 Normative references . 8
3 Terms and definitions . 8
3.1 Specific functional regions . 8
3.2 Resistor biased transistor . 9
3.3 Terms related to ratings and characteristics . 10
4 Letter symbols . 13
4.1 General . 13
4.2 Additional subscripts . 13
4.3 List of letter symbols . 13
4.3.1 General . 13
4.3.2 Voltages . 14
4.3.3 Currents . 15
4.3.4 Powers. 15
4.3.5 Electrical parameters . 15
4.3.6 Frequency parameters . 19
4.3.7 Switching parameters . 20
4.3.8 Energies . 21
4.3.9 Sundry quantities . 21
4.3.10 Matched-pair bipolar transistors . 22
4.3.11 Resistor biased transistor. 22
5 Essential ratings and characteristics . 22
5.1 General . 22
5.2 Small signal transistors . 22
5.2.1 Ratings (limiting values) . 22
5.2.2 Characteristics . 23
5.3 Linear power transistors . 24
5.3.1 Ratings (limiting values) . 24
5.3.2 Characteristics . 25
5.4 High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications . 26
5.4.1 Ratings (limiting values) . 26
5.4.2 Characteristics . 27
5.5 Switching transistors . 29
5.5.1 Ratings (limiting values) . 29
5.5.2 Characteristics . 31
5.6 Resistor biased transistors . 33
5.6.1 Ratings . 33
5.6.2 Characteristics . 34
6 Measuring methods . 34
6.1 General . 34
6.2 Verification of ratings (limiting values) . 35
6.2.1 Acceptance criteria . 35
6.2.2 Collector current . 35
6.2.3 Peak collector current . 36
6.2.4 Base current . 36

60747-7 Ó IEC:2010 – 3 –
6.2.5 Peak base current . 37
6.2.6 Collector-base voltage . 38
6.2.7 Collector-emitter voltage, output voltage . 39
6.2.8 Emitter-base voltage, Input voltage . 39
6.2.9 Safe operating area (SOA) . 40
6.2.10 Output current (I ) . 43
O
6.2.11 Collector-emitter sustaining voltage . 44
6.3 Methods of measurement . 46
6.3.1 Turn-on time intervals and turn-on energy with inductive road . 46
6.3.2 Turn-off time intervals and turn-off energy with inductive road . 47
6.3.3 Collector-emitter cut-off currents (d.c. method) . 49
6.3.4 Collector-base cut-off current (d.c. method) . 49
6.3.5 Emitter-base cut-off current (d.c. method) . 50
6.3.6 Collector-emitter saturation voltage . 50
6.3.7 Base-emitter saturation voltage . 52
6.3.8 Base-emitter voltage (d.c. method) . 53
6.3.9 Capacitances . 54
6.3.10 Hybrid parameters (small-signal and large-signal) . 57
6.3.11 Thermal resistance . 64
6.3.12 Switching times with resistive road . 69
6.3.13 High-frequency parameters (f , y.e, s.). 71
T
6.3.14 Noise (F) . 81
6.3.15 Measuring methods for matched-pair bipolar transistors . 87
6.3.16 Measuring Methods for resistor biased transistors . 90
7 Acceptance and reliability . 94
7.1 General requirements . 94
7.2 Specific requirements . 94
7.2.1 List of endurance tests. 94
7.2.2 Conditions for endurance tests . 94
7.2.3 Acceptance-defining characteristics and acceptance criteria for
reliability tests . 94
7.3 Endurance and reliability test methods . 95
7.3.1 High temperature blocking (HTRB) . 95
7.3.2 Intermittent operating life . 96
7.4 Type tests and routine tests . 97
7.4.1 Type tests . 97
7.4.2 Routine tests . 97
Annex A (informative) Determination of the SOA . 99

Figure 1 – Resistor biased transistor graphical symbol . 9
Figure 2 – Modified hybrid p equivalent circuit .
...

IEC 60747-7 ®
Edition 3.1 2019-09
CONSOLIDATED VERSION
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
colour
inside
Semiconductor devices – Discrete devices –
Part 7: Bipolar transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 7: Transistors bipolaires

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IEC publications issued since 2002. Some entries have been
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ELECTROTECHNICAL
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ICS 31.080.30 ISBN 978-2-8322-7430-9

IEC 60747-7 ®
Edition 3.1 2019-09
CONSOLIDATED VERSION
REDLINE VERSION
VERSION REDLINE
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Part 7: Bipolar transistors
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets –
Partie 7: Transistors bipolaires

– 2 – IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV
 IEC 2019
CONTENTS
FOREWORD . 6
1 Scope . 8
2 Normative references . 8
3 Terms and definitions . 8
3.1 Specific functional regions . 8
3.2 Resistor biased transistor . 9
3.3 Terms related to ratings and characteristics . 10
4 Letter symbols . 13
4.1 General . 13
4.2 Additional subscripts . 13
4.3 List of letter symbols . 13
4.3.1 General . 13
4.3.2 Voltages . 14
4.3.3 Currents . 15
4.3.4 Powers . 15
4.3.5 Electrical parameters . 15
4.3.6 Frequency parameters . 19
4.3.7 Switching parameters . 20
4.3.8 Energies . 21
4.3.9 Sundry quantities . 21
4.3.10 Matched-pair bipolar transistors. 22
4.3.11 Resistor biased transistor . 22
5 Essential ratings and characteristics . 22
5.1 General . 22
5.2 Small signal transistors . 22
5.2.1 Ratings (limiting values) . 22
5.2.2 Characteristics . 23
5.3 Linear power transistors . 24
5.3.1 Ratings (limiting values) . 24
5.3.2 Characteristics . 25
5.4 High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications . 26
5.4.1 Ratings (limiting values) . 26
5.4.2 Characteristics . 27
5.5 Switching transistors . 29
5.5.1 Ratings (limiting values) . 29
5.5.2 Characteristics . 31
5.6 Resistor biased transistors . 33
5.6.1 Ratings . 33
5.6.2 Characteristics . 34
6 Measuring methods . 34
6.1 General . 34
6.2 Verification of ratings (limiting values) . 35
6.2.1 Acceptance criteria . 35
6.2.2 Collector current . 35
6.2.3 Peak collector current . 36
6.2.4 Base current . 36

 IEC 2019
6.2.5 Peak base current . 37
6.2.6 Collector-base voltage . 38
6.2.7 Collector-emitter voltage, output voltage . 39
6.2.8 Emitter-base voltage, Input voltage . 39
6.2.9 Safe operating area (SOA) . 40
6.2.10 Output current (I ) . 44
O
6.2.11 Collector-emitter sustaining voltage . 44
6.3 Methods of measurement . 46
6.3.1 Turn-on time intervals and turn-on energy with inductive road . 46
6.3.2 Turn-off time intervals and turn-off energy with inductive road . 48
6.3.3 Collector-emitter cut-off currents (d.c. method) . 49
6.3.4 Collector-base cut-off current (d.c. method) . 50
6.3.5 Emitter-base cut-off current (d.c. method). 50
6.3.6 Collector-emitter saturation voltage . 50
6.3.7 Base-emitter saturation voltage . 52
6.3.8 Base-emitter voltage (d.c. method) . 54
6.3.9 Capacitances . 54
6.3.10 Hybrid parameters (small-signal and large-signal) . 57
6.3.11 Thermal resistance . 64
6.3.12 Switching times with resistive road . 69
6.3.13 High-frequency parameters (f , y.e, s.) . 71
T
6.3.14 Noise (F) . 81
6.3.15 Measuring methods for matched-pair bipolar transistors . 87
6.3.16 Measuring Methods for resistor biased transistors . 90
7 Acceptance and reliability . 94
7.1 General requirements .
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