IEC 60747-5-4:2006

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-4: Optoelectronic devices - Semiconductor lasers

Deals with the terminology, the essential ratings and characteristics as well as the measuring methods of semiconductor lasers.

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-4: Dispositifs optoélectroniques - Lasers à semiconducteurs

Couvre la terminologie, les valeurs limites et les caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure pour les lasers à semiconducteurs.

General Information

• Status: Published
• Publication Date: 22-Feb-2006
• ICS: 01 - GENERALITIES. TERMINOLOGY. STANDARDIZATION. DOCUMENTATION
• ICS: 31.080.01 - Semiconductor devices in general
• ICS: 31.260 - Optoelectronics. Laser equipment
• Technical Committee: SC 47E - Discrete semiconductor devices
• Drafting Committee: WG 9 - TC 47/SC 47E/WG 9
• Current Stage: DELPUB - Deleted Publication
• Start Date: 15-Nov-2019
• Completion Date: 27-Apr-2022

Relations

• Replaces: IEC 60747-5-2:1997 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-2: Optoelectronic devices - Essential ratings and characteristics
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Replaces: IEC 60747-5-1:1997 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-1: Optoelectronic devices - General
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Replaces: IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 - Amendment 1 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-2: Optoelectronic devices - Essential ratings and characteristics
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Replaces: IEC 60747-5-1:1997/AMD2:2002 - Amendment 2 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-1: Optoelectronic devices - General
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Replaces: IEC 60747-5-3:1997/AMD1:2002 - Amendment 1 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-3: Optoelectronic devices - Measuring methods
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Replaces: IEC 60747-5-1:1997/AMD1:2001 - Amendment 1 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-1: Optoelectronic devices - General
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Replaces: IEC 60747-5-3:1997 - Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-3: Optoelectronic devices - Measuring methods
• Effective Date: 05-Sep-2023
• Revised: IEC 60747-5-4:2022 - Semiconductor devices - Part 5-4: Optoelectronic devices - Semiconductor lasers
• Effective Date: 05-Sep-2023

Standards Content (Sample)

NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-5-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-02
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets –
Partie 5-4:
Dispositifs optoélectroniques –
Lasers à semiconducteurs
Semiconductor devices –
Discrete devices –
Part 5-4:
Optoelectronic devices –
Semiconductor lasers
Numéro de référence
Reference number
CEI/IEC 60747-5-4:2006
Numérotation des publications Publication numbering
Depuis le 1er janvier 1997, les publications de la CEI As from 1 January 1997 all IEC publications are
sont numérotées à partir de 60000. Ainsi, la CEI 34-1 issued with a designation in the 60000 series. For
devient la CEI 60034-1. example, IEC 34-1 is now referred to as IEC 60034-1.
Editions consolidées Consolidated editions
Les versions consolidées de certaines publications de la The IEC is now publishing consolidated versions of its
CEI incorporant les amendements sont disponibles. Par publications. For example, edition numbers 1.0, 1.1
exemple, les numéros d’édition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent and 1.2 refer, respectively, to the base publication,
respectivement la publication de base, la publication de the base publication incorporating amendment 1 and
base incorporant l’amendement 1, et la publication de the base publication incorporating amendments 1
base incorporant les amendements 1 et 2. and 2.
Informations supplémentaires Further information on IEC publications
sur les publications de la CEI
Le contenu technique des publications de la CEI est The technical content of IEC publications is kept
constamment revu par la CEI afin qu'il reflète l'état under constant review by the IEC, thus ensuring that
actuel de la technique. Des renseignements relatifs à the content reflects current technology. Information
cette publication, y compris sa validité, sont dispo- relating to this publication, including its validity, is
nibles dans le Catalogue des publications de la CEI available in the IEC Catalogue of publications
(voir ci-dessous) en plus des nouvelles éditions, (see below) in addition to new editions, amendments
amendements et corrigenda. Des informations sur les and corrigenda. Information on the subjects under
sujets à l’étude et l’avancement des travaux entrepris consideration and work in progress undertaken by the
par le comité d’études qui a élaboré cette publication, technical committee which has prepared this
ainsi que la liste des publications parues, sont publication, as well as the list of publications issued,
également disponibles par l’intermédiaire de: is also available from the following:
• Site web de la CEI (www.iec.ch) • IEC Web Site (www.iec.ch)
• Catalogue des publications de la CEI • Catalogue of IEC publications
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comprenant des recherches textuelles, par comité technical committees and date of publication. On-
d’études ou date de publication. Des informations en line information is also available on recently
ligne sont également disponibles sur les nouvelles issued publications, withdrawn and replaced
publications, les publications remplacées ou retirées, publications, as well as corrigenda.
ainsi que sur les corrigenda.
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NORME CEI
INTERNATIONALE
IEC
60747-5-4
INTERNATIONAL
Première édition
STANDARD
First edition
2006-02
Dispositifs à semiconducteurs –
Dispositifs discrets –
Partie 5-4:
Dispositifs optoélectroniques –
Lasers à semiconducteurs
Semiconductor devices –
Discrete devices –
Part 5-4:
Optoelectronic devices –
Semiconductor lasers
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– 2 – 60747-5-4  CEI:2006
SOMMAIRE
AVANT-PROPOS .4

1 Domaine d'application.8
2 Références normatives .8
3 Généralités.10
3.3 Termes généraux .10
3.4 Termes concernant les valeurs limites et les caractéristiques essentielles.12
4 Valeurs limites et caractéristiques essentielles.20
4.1 Type.20
4.2 Semiconducteur.20
4.3 Détails de dessin d'encombrement et encapsulation.20
4.4 Valeurs limites (caractéristiques maximales absolues) .22
4.5 Caractéristiques électriques et optiques.22
4.6 Informations supplémentaires – Dépendance à la température de la longueur
d'onde .26
5 Méthodes de mesure .26
5.1 Mesure du flux énergétique.26
5.2 Stabilité du flux énergétique en sortie .26
5.3 Profil de domaine temporel .30
5.4 Durée de vie.36
5.5 Caractéristiques optiques du faisceau laser .38

Annexe A (informative) Liste de référence des termes techniques et des définitions liés
au profil dans l'espace et aux caractéristiques spectrales .46
Annexe B (informative) Liste de référence des méthodes de mesure liées au profil dans
l'espace et aux caractéristiques spectrales .54
Annexe C (informative) Liste de référence des termes techniques et des définitions et
des méthodes de mesure, liés à la mesure de flux et à la durée de vie .56

Figure 1 – Dispositif avec fenêtre mais sans lentille.12
Figure 2 – Temps de commutation .14
Figure 3 – Courant de seuil d'une diode laser .18
Figure 4 – Schéma du circuit de base.26
Figure 5 – Schéma du circuit de base.30
Figure 6 – Schéma de réponse d'impulsion type .34
Figure 7 – Schéma du circuit de base.36
Figure 8 – Angle à mi-intensité .38
Figure 9 – Relation entre le plan spécifié et le plan de référence mécanique.40
Figure 10 – Schéma du montage de mesure de base.40
Figure 11 – Dispositif de mesure pour D et D .42
1/2
1/e
Tableau 1 – Caractéristiques électriques et optiques .22

60747-5-4  IEC:2006 – 3 –
CONTENTS
FOREWORD. 13H5
1 Scope. 14H9
2 Normative references. 15H9
3 General . 16H11
3.1 Physical concepts . 17H11
3.3 General terms. 18H11
3.4 Terms related to ratings and characteristics . 19H13
4 Essential rating and characteristics . 20H21
4.1 Type. 21H21
4.2 Semiconductor . 22H21
4.3 Details of outline drawing and encapsulation . 23H21
4.4 Limiting values (absolute maximum ratings) . 24H23
4.5 Electrical and optical characteristics . 25H23
4.6 Supplementary information – Temperature dependence of wavelength . 26H27
5 Measurement methods . 27H27
5.1 Power measurement. 28H27
5.2 Output power stability . 29H27
5.3 Time domain profile . 30H31
5.4 Lifetime . 31H37
5.5 Optical characteristics of the laser beam. 32H39

Annex A (informative) Reference list of technical terms and definitions related to
spatial profile and spectral characteristics . 33H47
Annex B (informative) Reference list of measurement methods related to spatial profile
and spectral characteristics. 34H55
Annex C (informative) Reference list of technical terms and definitions, and
measurement methods, related to power measurement and lifetime . 35H57

Bibliography . 36H59

0HFigure 1 – Device with window but without lens . 37H13
1HFigure 2 – Switching times . 38H15
2HFigure 3a – Derivative threshold current of a laser diode . 39H17
3HFigure 3b – Extrapolated threshold current of a laser diode . 40H19
4HFigure 4 – Basic circuit diagram . 41H27
5HFigure 5 – Basic circuits diagram . 42H31
6HFigure 6 – Typical pulse response diagram . 43H35
7HFigure 7 – Basic circuit diagram . 44H37
8HFigure 8 – Half-intensity angle. 45H39
9HFigure 9 – Relationship between the specified plane and the mechanical reference plane. 46H41
10HFigure 10 – Basic measurement
...