IEC 62047-26:2016
(Main)Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures
IEC 62047-26:2016 specifies descriptions of trench structure and needle structure in a micrometer scale. In addition, it provides examples of measurement for the geometry of both structures. For trench structures, this standard applies to structures with a depth of 1 µm to 100 µm; walls and trenches with respective widths of 5 µm to 150 µm; and aspect ratio of 0,006 7 to 20. For needle structures, the standard applies to structures with three or four faces with a height, horizontal width and vertical width of 2 µm or larger, and with dimensions that fit inside a cube with sides of 100 µm. This standard is applicable to the structural design of MEMS and geometrical evaluation after MEMS processes.
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 26: Description et méthodes de mesure pour structures de microtranchées et de microaiguille
L'IEC 62047-26:2016 spécifie des descriptions de structures de tranchées et de structures d'aiguille à l'échelle micrométrique. En outre, elle donne des exemples de mesures de la géométrie des deux structures. Pour les structures de tranchées, la présente norme s'applique à des structures de profondeur comprise entre 1 µm et 100 µm, avec des parois et des tranchées de largeur comprise entre 5 µm et 150 µm et avec un rapport hauteur/largeur compris entre 0,006 7 et 20. Pour les structures d'aiguille, la norme s'applique à des structures à trois ou quatre faces dont la hauteur, la largeur horizontale et la largeur verticale sont supérieures ou égales à 2 µm, et dont les dimensions permettent de placer chaque structure dans un cube de 100 µm de côté. La présente norme s'applique à la conception structurelle de procédés MEMS et à leur appréciation géométrique.
General Information
Standards Content (Sample)
IEC 62047-26 ®
Edition1.0 2016-01
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
colour
inside
Semiconductor devices – Micro-electromechanical devices –
Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle
structures
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs microélectromécaniques –
Partie 26: Description et méthodes de mesure pour structures de
microtranchées et de microaiguille
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IEC 62047-26 ®
Edition 1.0 2016-01
INTERNATIONAL
STANDARD
NORME
INTERNATIONALE
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Semiconductor devices – Micro-electromechanical devices –
Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle
structures
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs microélectromécaniques –
Partie 26: Description et méthodes de mesure pour structures de
microtranchées et de microaiguille
INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
ICS 31.080.99 ISBN 978-2-8322-3122-7
– 2 – IEC 62047-26:2016 © IEC 2016
CONTENTS
FOREWORD . 4
1 Scope . 6
2 Normative references . 6
3 Terms and definitions . 6
4 Description of trench structures in a micrometer scale . 7
4.1 General . 7
4.2 Symbols and designations . 7
4.3 Description . 9
5 Description of needle structures in a micrometer scale . 9
5.1 General . 9
5.2 Symbols and designations . 9
5.3 Description . 10
6 Measurement method . 10
Annex A (informative) Examples of measurement for trench and needle structures in
a micrometer scale . 11
A.1 General . 11
A.2 Measurement for depth of trench . 11
A.2.1 Field emission type scanning electron microscopy . 11
A.2.2 Coherence scanning interferometer (CSI) . 12
A.2.3 Stylus surface profiler . 14
A.2.4 Confocal laser scanning microscopy . 16
A.2.5 Atomic force microscopy . 17
A.3 Measurement for width of wall and trench at the upper surface of trench . 18
A.3.1 Field emission type scanning electron microscopy . 18
A.3.2 Coherence scanning interferometer . 19
A.3.3 Stylus surface profiler . 19
A.3.4 Confocal laser scanning microscopy . 19
A.3.5 Optical microscopy . 20
A.4 Measurement for side wall angle of trench by field emission type scanning
electron microscopy . 20
A.4.1 Principle of measurement . 20
A.4.2 Preparation of sample . 21
A.4.3 Procedure of measurement . 21
A.4.4 Measurable range . 21
A.5 Measurement for wall and trench width at the bottom of trench by field
emission type scanning ele microscopy . 21
A.5.1 Principle of measurement . 21
A.5.2 Preparation of sample . 21
A.5.3 Procedure of measurement . 21
A.5.4 Measurable range . 21
A.6 Measurement for geometry of needle . 21
A.6.1 Field emission type scanning electron microscopy . 21
A.6.2 Atomic force microscopy . 23
Annex B (informative) Uncertainty in dimensional measurement . 25
B.1 General . 25
B.2 Basic concepts . 25
B.3 Example of evaluating uncertainty of the average depth of trench . 25
B.3.1 Sample and measured data for evaluating uncertainty . 25
B.3.2 Source of uncertainty . 26
B.3.3 Type A evaluation of standard uncertainty . 26
B.3.4 Type B evaluation of standard uncertainty . 26
B.3.5 Combined standard uncertainty . 26
B.3.6 Expanded uncertainty and result . 26
B.3.7 Budget table . 26
Bibliography . 28
Figure 1 – Schematic of example for trench structure in a micrometer scale and its
cross section . 7
Figure 2 – Cross section of trench structure in a micrometer scale . 8
Figure 3 – Cross section of trench structure in a micrometer scale fabricated by a
deep-reactive ion etching process with repeated deposition and etching of silicon . 8
Figure 4 – Schematic of typical needle structures formed of three and four faces . 9
Figure 5 – Front, side and top views of typical needle structures. 10
Figure A.1 – FE-SEM image of trench structure with 5 µm-wide wall and 5 µm-wide
trench . 12
Figure A.2 – Schematic of CSI microscope comprising an equal-light-path
interferometer . 13
Figure A.3 – Measurability for depth of trench structure with a depth of D and a width
of W using a stylus surface profiler . 16
Tu
Figure A.4 – Relationship between shape of AFM probe tip and trench structure . 18
Figure A.5 – Front, side an
...
Questions, Comments and Discussion
Ask us and Technical Secretary will try to provide an answer. You can facilitate discussion about the standard in here.